[發明專利]在較窄pH范圍內制備釔鋁石榴石納米粉體的共沉淀法有效
| 申請號: | 201010182707.0 | 申請日: | 2010-05-26 |
| 公開(公告)號: | CN101870491A | 公開(公告)日: | 2010-10-27 |
| 發明(設計)人: | 盧鐵城;馬奔原;魏念;齊建起 | 申請(專利權)人: | 四川大學 |
| 主分類號: | C01F7/02 | 分類號: | C01F7/02 |
| 代理公司: | 成都科海專利事務有限責任公司 51202 | 代理人: | 黃幼陵;馬新民 |
| 地址: | 610207 四*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | ph 范圍內 制備 石榴石 納米 共沉淀 | ||
技術領域
本發明屬于沉淀法制備納米粉體領域,特別涉及一種制備釔鋁石榴石納米粉體的共沉淀法。
背景技術
釔鋁石榴石(簡稱YAG,化學式是Y3Al5O12)屬于立方晶系,無雙折射效應,具有熔點高、機械性和導熱性好、可以在長期光泵輻射條件下保持穩定的光學性能等優點,是一種優良的固體激光介質材料。相比傳統工藝制備的YAG單晶,由YAG納米粉體制備的多晶陶瓷生產成本低,具有更好的力熱性能,并且可以實現對其高濃度稀土元素摻雜,已經成為YAG單晶替代材料的研究熱點。另外,摻雜Ce3+,Tb3+等離子的YAG納米粉體又是很好的熒光粉材料,在LED發光部件、陰極射線管、醫療器械等領域有廣泛應用。所以,對YAG納米粉體的制備已經成為一個熱點。
共沉淀法,由于其生產成本低、易于工業化生產等優點,是目前制備YAG納米粉體的一種常用方法,但共沉淀法容易出現的問題是在滴定過程中造成YAG前驅體的局部組成Y3+與Al3+的摩爾比偏離3∶5,導致在1000℃以下焙燒前驅體有中間相產生,難于獲得純相YAG納米粉體,而為了消除中間相就必須提高焙燒溫度和延長保溫時間,這樣就會造成前驅體中Y3+與Al3+的摩爾比不偏離3∶5的區域粉體顆粒間的燒結較嚴重,最終對粉體的分散性和均勻性造成不利影響,這就是共沉淀法制備的YAG納米粉體顆粒形狀不規則的重要原因。
為了解決共沉淀法存在的上述問題,人們進行了不懈的努力,多方的探討。G.Xu等人在《Materials?Letters》上發表的論文“Preparation?of?highly?dispersed?YAG?nano-sized?powder?byco-precipitation?method”(見Mater.Lett,2006(60):962-965)中公開了用共沉淀法制備YAG納米粉體時,通過在NH4HCO3沉淀劑溶液中添加辛基聚乙二醇硫酸鈉和乙二醇兩種表面活性劑,使得滴定過程中Y3+和Al3+沉淀吸附在表面活性劑上,利用活性劑分子之間的靜電斥力來達到均勻分散Y3+和Al3+沉淀的目的,所制備的前驅體在焙燒過程中只有少量YAP過渡相出現,并最終在1000℃得到純相YAG納米粉體。然而這種辦法有其自身的缺點,活性劑引入的Na+離子容易殘留在焙燒后的粉體中,最終形成雜質;另外,表面活性劑本質上只是將沉淀分子吸附在活性劑分子上,利用活性劑分子的混合來調節Y3+和Al3+沉淀分子的局部分布,而活性劑分子上Y3+和Al3+沉淀分子的摩爾比例并不一定遵從3∶5,所以此方法獲得純相YAG粉體的焙燒溫度也不是太低(1000℃)。H.Wang等人在《Materials?Science?andEngineering》上發表的論文“Synthesis?of?nanoscaled?ytterum?aluminum?garnet?powder?by?theco-precipitation?method”(見Mater.Sci.Eng.A288.,2000:1-4)中公開了用共沉淀法制備YAG納米粉體時,采用氨水做沉淀劑,通過在滴定過程中向反應體系不斷添加氨水的方法,使滴定過程中反應體系的pH值一直維持在8左右,并且在900℃焙燒前驅體得到純相YAG納米粉體,證明pH值維持在8附近的確有利于Y3+和Al3+離子沉淀下來的速度趨近一致,使得Y3+和Al3+離子同時形成沉淀,然而這種方法操作過于復雜,可控性較差。
發明內容
本發明的目的在于克服現有技術的不足,提供一種新的制備釔鋁石榴石納米粉體的共沉淀法,此種方法不僅能在滴定過程中使反應體系的pH值維持在較窄范圍內,在900℃焙燒前驅體得到純相YAG納米粉體,而且操作簡單,可控性增強。
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