[發明專利]測量重摻硅中氧含量的裝置及方法

無效

• 申請號: 201010182414.2
• 申請日: 2010-05-25
• 公開（公告）號: CN101832930A
• 公開（公告）日: 2010-09-15
• 發明（設計）人: 季振國;席俊華;毛啟楠
• 申請（專利權）人: 杭州電子科技大學
• 主分類號: G01N21/63
• 分類號: G01N21/63
• 代理公司: 杭州求是專利事務所有限公司 33200
• 代理人: 周烽

1.一種利用激光擊穿光譜測量重摻硅中氧含量的裝置，其特征在于，包括：脈沖激光器、聚焦透鏡、樣品臺、出射光透鏡組合、光譜儀、電腦、機械泵、真空閥門、分子泵、真空室、樣品操縱桿。其中，所述真空室上置有激光入射窗口、發射光出射窗口和備用窗口，樣品臺通過樣品操縱桿置于真空室內，聚焦透鏡和脈沖激光器依次排列在激光入射窗口前，出射光透鏡組合位于發射光出射窗口前，出射光透鏡組合通過光纖與光譜儀相連，光譜儀通過USB連接線與電腦相連，分子泵與真空室相連，機械泵通過真空閥門與分子泵相連。

2.一種應用權利要求1所述裝置的利用激光擊穿光譜測量重摻硅中氧含量的方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)脈沖激光器發出高能脈沖激光，通過聚焦透鏡，照射位于真空室的被測樣品。

(2)被測樣品擊穿電離后發射出紫外-可見光譜。

(3)光譜儀根據光譜分析樣品中的氧含量。