[發明專利]高功率半導體激光器模塊的檢測裝置和方法

無效

• 申請號: 201010182393.4
• 申請日: 2010-05-21
• 公開（公告）號: CN101839771A
• 公開（公告）日: 2010-09-22
• 發明（設計）人: 辛國鋒;瞿榮輝;蔡海文;方祖捷;陳高庭;沈力;皮浩洋
• 申請（專利權）人: 中國科學院上海光學精密機械研究所
• 主分類號: G01J9/00
• 分類號: G01J9/00;G01J1/00
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 張澤純

1.一種高功率半導體激光器模塊的測試裝置，特征在于該裝置包括測試棒、測試棒固定夾具、聚焦透鏡、導光光纖和探測器，所述的測試棒是由一端具有45°斜截面并鍍有對激光二極管波長的高反膜，另一端截面為正圓面的兩根結構相同的透明材料棒且所述的斜截面相對共軸膠合而成，測試棒置于所述的測試棒固定夾具上，在所述的測試棒的一端或兩端外設置所述的聚焦透鏡，所述的導光光纖的一端位于所述的聚焦透鏡的焦點，另一端接所述的探測器的輸入端。

2.根據權利要求1所述的高功率半導體激光器模塊的測試裝置，其特征在于所述的測試棒為實心棒或空心棒。

3.根據權利要求1或2所述的高功率半導體激光器模塊的測試裝置，其特征在于所述的測試棒由晶體或玻璃材料制成。

4.根據權利要求1或2所述的高功率半導體激光器模塊的測試裝置，其特征在于所述的探測器為光譜儀或功率計。

5.利用權利要求1所述的高功率半導體激光器模塊的測試裝置進行測試的方法，特征在于該方法包括下列步驟：

①所述的高功率半導體激光器模塊是由多個半導體激光二極管封裝成發光指向軸心的圓環或半圓環的高功率半導體激光器模塊，將所述的測試棒穿過待測的圓環或半圓環的高功率半導體激光器模塊并固定在測試棒固定夾具上，調節好測試光路；

②啟動所述的高功率半導體激光器模塊的電源，與所述的測試棒斜截面相對的半導體激光二極管發出的光經所述的測試棒斜截面反射后沿測試棒的軸向出射，由所述的聚焦透鏡聚焦，經導光光纖輸入到所述的光譜儀或功率計進行波長和功率檢測；

③驅使所述的測試棒繞其軸線旋轉，使所述的測試棒的斜截面與所述的圓環或半圓環的高功率半導體激光器模塊的半導體激光二極管一一地相對，所述的光譜儀或功率計依次記錄與所述的測試棒斜截面相對的半導體激光二極管發射的激光波長和激光功率，當所述的測試棒繞其軸線旋轉一周，即完成一個圓環或半圓環的高功率半導體激光器模塊的測試；

④重復步驟①②③就可以完成對另一個圓環或半圓環的激光器模塊的測試；

⑤對測試結果進行分析比較，根據需要對所測試的圓環或半圓環的高功率半導體激光器模塊進行篩選。

6.根據權利要求5所述的測試的方法，其特征在于所述的第①步，將所述的測試棒同時穿過多個待測的圓環或半圓環的高功率半導體激光器模塊并固定在測試棒固定夾具上，則只需將測試棒沿軸線方向移動位置并進行旋轉測試，即可完成多個圓環或半圓環的高功率半導體激光器模塊的檢測。