[發明專利]改善再生晶圓表面性能以及在其上沉積富氧氧化硅薄膜的方法

無效

• 申請號: 201010181346.8
• 申請日: 2010-05-21
• 公開（公告）號: CN102254816A
• 公開（公告）日: 2011-11-23
• 發明（設計）人: 梁富堂;龔睿;楊浩;韓軻
• 申請（專利權）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司;中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/324
• 分類號: H01L21/324;H01L21/316
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

1.一種改善再生晶圓表面性能的方法，其特征在于，包括：在含氮氣的氛圍內進行退火處理。

2.根據權利要求1所述的改善再生晶圓表面性能的方法，其特征在于，所述退火的溫度范圍為400至600攝氏度，時間為200至400s。

3.根據權利要求2所述的改善再生晶圓表面性能的方法，其特征在于，所述退火的溫度為500攝氏度，時間為300s。

4.一種在再生晶圓上沉積富氧氧化硅薄膜的方法，其特征在于，包括：提供再生晶圓；將再生晶圓在含氮氣的氛圍內進行退火處理；在再生晶圓上沉積富氧氧化硅薄膜。

5.根據權利要求1所述的在再生晶圓上沉積富氧氧化硅薄膜的方法，其特征在于，所述退火的溫度范圍為400至600攝氏度，時間為200至400s。

6.根據權利要求2所述的在再生晶圓上沉積富氧氧化硅薄膜的方法，其特征在于，所述退火的溫度為500攝氏度，時間為300s。