[發(fā)明專利]單室反應(yīng)器中制造半導(dǎo)體器件的方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010181242.7
• 申請(qǐng)日: 2010-05-25
• 公開（公告）號(hào): CN102024676A
• 公開（公告）日: 2011-04-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李沅民;張迎春;林朝暉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 福建鈞石能源有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/00
• 分類號(hào): H01L21/00;H01L31/18
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.一種在單室反應(yīng)器中制造半導(dǎo)體器件的方法，所述半導(dǎo)體器件包括至少一個(gè)p-i-n疊層結(jié)，其特征在于：所述方法在沉積i層之前執(zhí)行下列步驟：

a、通入含氧氣體對(duì)所述反應(yīng)器內(nèi)的殘留物進(jìn)行反應(yīng)吹掃；

b、將含氧殘留物排出。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：所述含氧氣體包括純氧、氧化氮、干燥空氣中的一種或幾種的組合。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：采取直接抽真空的方式將含氧殘留物排出。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟a在p層沉積結(jié)束之后進(jìn)行。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟a在前一結(jié)的n層沉積結(jié)束之后，或在前一結(jié)的n層和后一結(jié)的p層沉積結(jié)束之后進(jìn)行。

6.如權(quán)利要求1或4或5所述的方法，其特征在于：所述步驟a的執(zhí)行時(shí)間包括1～10分鐘的范圍。

7.一種在單室反應(yīng)器中制造半導(dǎo)體器件的方法，所述半導(dǎo)體器件包括至少一個(gè)p-i-n疊層結(jié)，其特征在于：所述方法在沉積i層之前執(zhí)行下列步驟：

a、通入含氧氣體對(duì)所述反應(yīng)器內(nèi)的殘留物進(jìn)行反應(yīng)吹掃；

b、通入易與所述含氧氣體反應(yīng)的氣體和/或惰性氣體，將含氧殘留物排出。

8.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于：所述易與含氧氣體反應(yīng)的氣體包括硅烷、雙硅烷或氯化硅，或它們中的一種或幾種與氫氣的混和氣體。

9.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于：所述步驟a的執(zhí)行時(shí)間包括1～10分鐘的范圍。

10.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于：所述步驟a在p層沉積結(jié)束之后進(jìn)行。

11.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于：所述步驟a在前一結(jié)的n層沉積結(jié)束之后，或在前一結(jié)的n層和后一結(jié)的p層沉積結(jié)束之后進(jìn)行。

12.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于：所述惰性氣體包括氬氣、氦氣。

13.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于：所述步驟b的執(zhí)行時(shí)間包括3～15分鐘的范圍。

14.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于：所述n層的摻雜劑包括磷(P)、砷(As)或銻(Sb)。