[發(fā)明專利]陶瓷基板制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010181193.7
• 申請日: 2010-05-20
• 公開（公告）號: CN102254832A
• 公開（公告）日: 2011-11-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 林文新
• 申請（專利權(quán)）人: 禾伸堂企業(yè)股份有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H05K3/00
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 周長興

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明為有關(guān)一種陶瓷基板制造方法，尤其指可通過電鍍、切割等加工工藝進行制造陶瓷基板的方法，利用電鍍加工與切割、研磨作業(yè)，不必通過蝕刻液的蝕刻工藝，避免對人體或環(huán)境形成傷害，依此制造的陶瓷基板線路，不管金屬層多厚，所生產(chǎn)出來的線路皆無梯度，且形成的線路上底及下底尺寸接近一樣，可制作業(yè)界高精密度的陶瓷基板。

背景技術(shù)

按，隨著科技發(fā)展的突飛猛進及人類對更高生活質(zhì)量的追求，所以對于許多產(chǎn)品的應(yīng)用特性趨向極為嚴(yán)格的要求，造成新開發(fā)材料的使用成為必要的手段，而現(xiàn)今的集成電路封裝工藝，受追求傳輸效率更佳以及體積小型化的影響(如行動電話、迷你筆記型計算機的電子組件)，因此業(yè)界對這方面投入了相當(dāng)可觀的研究經(jīng)費，而經(jīng)過多年的研究后，發(fā)明一種以使用陶瓷材質(zhì)所制成的陶瓷基板，而陶瓷基板具有優(yōu)良的絕緣性、化學(xué)安定性、電磁特性、高硬度、高熱導(dǎo)、耐磨耗及耐高溫，所以陶瓷基板所可達(dá)成的功效遠(yuǎn)比傳統(tǒng)基板更好，因此，陶瓷基板于目前在被使用的頻率上也就越來越高。

然而，一般陶瓷基板上利用熱壓合方式附著有金屬層、導(dǎo)電層后，需利用干膜層貼附于導(dǎo)電層上，并進行曝光顯影及蝕刻作業(yè)，讓所需的金屬層及導(dǎo)電層留下形成線路，由于金屬層通常具有較難蝕刻的特性，導(dǎo)致蝕刻過程中蝕刻液對導(dǎo)電層產(chǎn)生較多的移除，因為曝光顯影時已將預(yù)定線路的圖案顯示于干膜層上，在陶瓷基板的加工工藝中，使用過的蝕刻液(大都為氯化鐵或氯化銅等化學(xué)液劑)，不僅造成對人體的傷害，使用后的廢棄處理則容易形成對環(huán)境的污染。

如何解決公知陶瓷基板在工藝上因使用蝕刻液所產(chǎn)生傷害人體、污染環(huán)境的問題與缺失，即為從事此行業(yè)的相關(guān)廠商亟欲研究改善的方向所在。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種陶瓷基板的制造方法，可改變陶瓷基板制造方式，不利用蝕刻作業(yè)制造的陶瓷基板制造方法。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供的陶瓷基板制造方法，指可通過電鍍、切割等加工工藝進行制造陶瓷基板的方法，其步驟為：

(a)陶瓷基板上貼附干膜層；

(b)對干膜層進行曝光顯影，而于干膜層上形成預(yù)設(shè)路徑；

(c)再于陶瓷基板與干膜層上涂布第一金屬層；

(e)第一金屬層上鍍銅層；

(f)對陶瓷基板上的干膜層、第一金屬層及銅層進行切割、研磨，并將干膜層由陶瓷基板上移除；

(g)陶瓷基板上形成適當(dāng)高度的銅層；

(h)陶瓷基板的銅層表面予以電鍍第二金屬層，即完成陶瓷基板的制造。

所述的陶瓷基板制造方法，其中，該陶瓷基板為利用軟生胚所燒結(jié)制成，并進行打孔后形成具一個或一個以上貫穿孔的陶瓷基板。

所述的陶瓷基板制造方法，其中，該軟生胚為利用氮化鋁(AlN)或氧化鋁(Al₂O₃)材質(zhì)制成。

所述的陶瓷基板制造方法，其中，該第一金屬層為鎳、鉻、硅(Ni/Cr/Si)、鎳鉻硅合金(Ni/Cr/Si)或鎳鉻硅與銅的合金(Ni/Cr/Si+Cu)、鐵鈷合金(Fe/Co)、鐵鈷鎳合金(Fe/Co/Ni)材質(zhì)所制成，且介質(zhì)層的厚度可為0.15μm～0.5μm。

所述的陶瓷基板制造方法，其中，該銅層通過電鍍、蒸鍍、濺鍍的加工方式成型于第一金屬層上，且銅層的厚度可為50μm～75μm。

所述的陶瓷基板制造方法，其中，該銅層表面通過電鍍、蒸鍍或濺鍍的加工方式所鍍的第二金屬層，為鎳/金/銀(Ni/Au/Ag)的材質(zhì)的第二金屬層。

本發(fā)明不需經(jīng)由蝕刻工藝作業(yè)，即不會產(chǎn)生廢棄蝕刻液，避免造對成人體傷害及環(huán)境污染。

附圖說明

圖1為本發(fā)明的制造方法流程圖。

圖2為本發(fā)明的工藝的立體外觀圖。

圖3為本發(fā)明的陶瓷基板成型前的側(cè)視剖面圖。

圖4為本發(fā)明的側(cè)視剖面圖。

附圖中主要元件符號說明：

1陶瓷基板，11貫穿孔，2干膜層，3第一金屬層，4銅層，5第二金屬層。

具體實施方式

本發(fā)明的制造方法，其步驟是在陶瓷基板上先貼附干膜層(Dryfilm)，并進行曝光顯影而形成預(yù)設(shè)線路布局的路徑，再于陶瓷基板與干膜層上涂布第一金屬層，且對陶瓷基板上的干膜層、第一金屬層及銅層進行切割并整平，則將干膜層由陶瓷基板上移除，而在陶瓷基板上形成適當(dāng)高度的銅層后，由陶瓷基板的銅層表面進行電鍍第二金屬層，即完成陶瓷基板的制造，不需經(jīng)由蝕刻工藝作業(yè)，即不會產(chǎn)生廢棄蝕刻液，避免造對成人體傷害及環(huán)境污染。