[發明專利]高壓設備

有效

• 申請號: 201010181035.1
• 申請日: 2010-03-26
• 公開（公告）號: CN101847836A
• 公開（公告）日: 2010-09-29
• 發明（設計）人: W·霍勞斯;J·斯馬吉克;J·科斯托維奇
• 申請（專利權）人: ABB技術有限公司
• 主分類號: H02B13/00
• 分類號: H02B13/00
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 王岳;李家麟

1.一種高壓設備(100)，包括：

導電元件(121；122；123)，用于傳導高壓電流；以及

至少一個瞬態減少單元(120，130)，用于通過生成飛弧來減少現有的非常快速傳播的瞬態的電壓峰值，所述瞬態減少單元具有至少一個飛弧發生表面(131；131a；131b；131c；131d；131e)和至少一個導電性地連接到導電元件(121；122；123)的永久電觸點部分(150)；

其中，所述至少一個瞬態減少單元(130)的所述至少一個飛弧發生表面(131；131a；131b；131c)定位在所述導電元件(121；122；123)的附近，使得當所述瞬態減少單元和所述導電元件之間的瞬態電位差高于閾值時，在位于所述瞬態減少單元和所述導電元件之間的間隙(303)中發生飛弧。

2.根據權利要求1的高壓設備，其中所述瞬態減少單元(120，130)基本上沒有電阻器。

3.根據權利要求1或2的高壓設備，其中所述瞬態減少單元(120，130)被定制尺寸，使得其幾何形狀在非常快速的瞬態波沿著導電元件和瞬態減少單元傳播時引起波導阻抗的變化。

4.根據在前的任一權利要求的高壓設備，其中所述閾值在大約5kV到大約100kV的范圍內，尤其是在大約10kV到大約80kV的范圍內。

5.根據在前的任一權利要求的高壓設備，其中所述至少一個瞬態減少單元(120，130)的所述飛弧發生表面(131；131a；131b；131c；131d；131e)定位得與所述導電元件(121；122；123)相距最多3mm，更優選地，與所述導電元件(121；122；123)相距最多2mm。

6.根據在前的任一權利要求的高壓設備，其中所述至少一個瞬態減少單元(120，130)的所述飛弧發生表面(131；131a；131b；131c；131d；131e)定位得與所述導電元件(121；122；123)相距最小0.2mm的間隙距離，更優選地，與所述導電元件(121；122；123)相距最小0.5mm的間隙距離。

7.根據在前的任一權利要求的高壓設備，其中提供至少兩個瞬態減少單元(120，130)，并且其中至少一個永久電觸點部分(150)在導電元件(121；122；123)延伸的方向上從其專用的至少一個飛弧發生表面(131；131a；131b；131c)偏離了距離，所述距離小于待抑制的VFT的波長。

8.根據權利要求6的高壓設備，其中至少兩個瞬態減少單元(120，130)的區別在于，它們被設計成減少至少兩種不同的VFT。

9.根據在前的任一權利要求的高壓設備，其中所述至少一個瞬態減少單元(120，130)的總表面積至少為0.1m²，優選地至少為0.5m²。

10.根據在前的任一權利要求的高壓設備，其中所述至少一個瞬態減少單元(120，130)圍繞/覆蓋導電元件，使得至少25％，優選地至少50％的導電元件的表面被所述至少一個瞬態減少單元(130)所包圍。

11.根據在前的任一權利要求的高壓設備，其中進一步包括隔離開關和/或斷路器。

12.根據在前的任一權利要求的高壓設備，其中瞬態減少單元(130)由非磁性、抗磁性或者順磁性材料之一制成。

13.根據在前的任一權利要求的高壓設備，其中所述導電元件(121；122；123)限定了縱軸(180)，并且其中所述至少一個瞬態減少單元(120，130)被成型為使得瞬態減少單元(130)的中間部分(170)定位得橫向上到所述縱軸(180)比到至少一個飛弧發生表面(131；131a；131b；131c；131d；131e)更遠。

14.根據權利要求13的高壓設備，其中間隙(303)具有電容器狀的間隙幾何形狀，其中間隙長度(304)在縱軸(180)的方向上延伸，其中所述間隙長度(304)測量為至少長達間隙距離，并且視情況可為分別在飛弧發生表面(131；131a；131b；131c；131d；131e)和所述導電元件(121；122；123)之間的間隙距離。