[發明專利]一種用于超薄晶圓工藝的管芯貼片方法有效
| 申請號: | 201010180659.1 | 申請日: | 2010-05-06 |
| 公開(公告)號: | CN102237286A | 公開(公告)日: | 2011-11-09 |
| 發明(設計)人: | 黃平;吳瑞生;陳益;段磊;陳偉;鮑利華 | 申請(專利權)人: | 萬國半導體(開曼)股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/58 | 分類號: | H01L21/58;H01L21/78 |
| 代理公司: | 上海新天專利代理有限公司 31213 | 代理人: | 王敏杰 |
| 地址: | 英屬西印度群島開曼群島大開曼島K*** | 國省代碼: | 開曼群島;KY |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 用于 超薄 工藝 管芯 方法 | ||
1.一種用于超薄晶圓工藝的管芯貼片方法,其特征在于,包括如下步驟:
提供一晶圓,所述晶圓包含晶圓正面和晶圓背面,在所述晶圓正面形成集成電路;
提供一粘合層;
提供一支撐襯底,利用所述粘合層將支撐襯底粘合至晶圓背面;
在晶圓背面進行晶圓背面減薄;
將帶有支撐襯底的晶圓粘合至切割膜上并對晶圓及支撐襯底進行切割以形成數個帶有支撐襯底顆粒的晶圓顆粒;
將所述的數個晶圓顆粒粘合至與之相應的引線框架上;
從晶圓顆粒上剝離支撐襯底顆粒以完成管芯貼片。
2.如權利要求1所述的用于超薄晶圓工藝的管芯貼片方法,其特征在于,晶圓減薄后還包括對晶圓的背面進行背面工藝以形成器件電極,所述背面工藝包括背面刻蝕、背面蒸發、背面注入以及背面激光退火。
3.如權利要求1所述的用于超薄晶圓工藝的管芯貼片方法,其特征在于,所述支撐襯底為玻璃或石英。
4.如權利要求1所述的用于超薄晶圓工藝的管芯貼片方法,其特征在于,所述粘合層為雙面熱剝離膠帶。
5.如權利要求4所述的用于超薄晶圓工藝的管芯貼片方法,其特征在于,所述雙面熱剝離膠帶一面為壓敏膠粘合層,其另一面為熱剝離膠粘合層,所述壓敏膠粘合層粘合在支撐襯底上,所述熱剝離膠粘合層粘合在晶圓正面。
6.如權利要求5所述的用于超薄晶圓工藝的管芯貼片方法,其特征在于,通過對所述的粘合層進行加熱以從晶圓顆粒上分離粘合層的,從而實現從晶圓顆粒上剝離支撐襯底顆粒。
7.如權利要求1所述的用于超薄晶圓工藝的管芯貼片方法,其特征在于,所述粘合層為雙面紫外光照射自剝離膠帶。
8.如權利要求7所述的用于超薄晶圓工藝的管芯貼片方法,其特征在于,所述雙面紫外光照射自剝離膠帶一面為紫外光照射剝離輔助粘合層,其另一面為紫外光照射自剝離粘合層,所述紫外光照射剝離輔助粘合層粘合在支撐襯底上,所述紫外光照射自剝離粘合層粘合在晶圓正面。
9.如權利要求8所述的用于超薄晶圓工藝的管芯貼片方法,其特征在于,通過對所述雙面紫外光照射自剝離膠帶進行紫外線照射以從晶圓顆粒上分離粘合層的,從而實現從晶圓顆粒上剝離支撐襯底顆粒。
10.如權利要求1所述的用于超薄晶圓工藝的管芯貼片方法,其特征在于,所述晶圓背面減薄是將晶圓減薄至小于等于100μm。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





