[發明專利]一種摻雜改性的鈦酸鋇復合粒子及其制備方法有效
| 申請號: | 201010180581.3 | 申請日: | 2010-05-24 |
| 公開(公告)號: | CN101817686A | 公開(公告)日: | 2010-09-01 |
| 發明(設計)人: | 彭鐵纜;匡建波;湯育才 | 申請(專利權)人: | 湖南博深實業有限公司 |
| 主分類號: | C04B35/628 | 分類號: | C04B35/628;C04B35/468;B82B3/00 |
| 代理公司: | 長沙市融智專利事務所 43114 | 代理人: | 顏勇 |
| 地址: | 410013 湖南省長*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 摻雜 改性 鈦酸鋇 復合 粒子 及其 制備 方法 | ||
技術領域
本發明屬于電子陶瓷粉體材料技術領域,特別涉及一種化學包覆法制備鈦酸 鋇粉體材料。具體涉及一種用化學包覆法制造摻雜金屬氧化物的高有序度晶形的 鈦酸鋇粉體材料。
技術領域
鈦酸鋇粉體是無鉛電子陶瓷元器件的重要基礎原料,高純超細鈦酸鹽粉體主 要用于介質陶瓷、敏感陶瓷的制造,其中的MLCC多層陶瓷Ni,Mn大大提高電路 組裝密度,縮小整體體積。
現MLCC的內電極多為Ag,Pb等貴金屬材料,為了降低成本,發展Ni,Mn等 賤金屬及其合金代替Ag,Pb等貴金屬材料作為內電極材料是MLCC發展的一個重 要方向。但是Ni,Mn等金屬在空氣中燒結會發生氧化作用,失去作為內電極的作 用,因此必須調節燒結氣氛為中性或者是還原性,同時為了保證鈦酸鋇基介電陶 瓷在此氣氛條件下不被燒結成為半導體,而且擁有足夠的絕緣電阻和優異的介電 性能,則需加入Al,Mg,Mn等元素進行調節。目前,在國內外的研究中,均有通 過摻雜此類氧化物的研究,比如日本專利JP-A-63-103861,美國專利 US-005403797A,德國專利DE-199118091A1等,但是均存在燒結溫度過高,陶瓷 晶粒尺寸過大的問題,不太適于規模化生產,因此,如果通過更有效,均勻的進 行元素摻雜,合理的工藝條件生產超細晶體,粒度均勻,高性能的鈦酸鋇粉體以 滿足小型化,大容量MLCC的要求,是本發明所要解決的問題。
發明內容
本發明的目的是提供一種摻雜改性的鈦酸鋇復合粒子及其制備方法,得到的 摻雜改性的鈦酸鋇復合粒子粒度均勻、雜質少,且工藝簡單、產率高、成本低、 易于實現規模化工業生產,制得的MLCC擁有足夠的絕緣電阻和優異的介電性能。
本發明的目的是通過以下方式實現的。
一種摻雜改性的鈦酸鋇復合粒子,是在鈦酸鋇顆粒中摻雜了復合氧化物形成 的核心表面均勻包覆了氧化鋁所形成的鋁-鈦酸鋇核殼結構復合離子,所述的鈦 酸鋇顆粒是由碳酸鋇與二氧化鈦反應生成的,所述的碳酸鋇與二氧化鈦摩爾比為 1.000±0.020,所述的碳酸鋇顆粒粒徑為50-200nm;所述的鈦酸鋇顆粒和復合 氧化物的摩爾比為8.5-9.5∶0.5-1.5,所述的復合氧化物由CaCO3,Al2O3,MgO, Fe2O3,MnO2,Li2CO3,SrCO3組成,其中CaCO3,Li2CO3,SrCO3與碳酸鋇的摩爾比均為 0.0064±0.0020,Al2O3,MgO,Fe2O3,MnO2與碳酸鋇的摩爾比均為0.0037±0.0020; 所述的CaCO3,Al2O3,MgO,Fe2O3,MnO2,Li2CO3,SrCO3粒徑為40-160nm。
所述的碳酸鋇顆粒粒徑優選為80-160nm,所述的CaCO3,Al2O3,MgO,Fe2O3, MnO2,Li2CO3,SrCO3粒徑優選為40-120nm;CaCO3,Li2CO3,SrCO3與碳酸鋇的摩爾比 均優選為0.0064±0.0010,Al2O3,MgO,Fe2O3,MnO2與碳酸鋇的摩爾比均優選為 0.0037±0.0010。
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