[發明專利]半導體制冷器件

無效

• 申請號: 201010180493.3
• 申請日: 2010-05-18
• 公開（公告）號: CN102255037A
• 公開（公告）日: 2011-11-23
• 發明（設計）人: 吳榮鋼
• 申請（專利權）人: 上海科偉低壓電器廠
• 主分類號: H01L35/28
• 分類號: H01L35/28;H01L35/16;H01L35/34;F25B21/02
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 王敏杰

1.一種半導體制冷器件，其特征在于，包括：單晶硅(01)、碲化釹化合層(02)及礬化鉈化合層(03)；所述的單晶硅(01)呈薄片狀，單晶硅(01)表面設有一層保護層，通過高純度的碲化釹的化合物及高純度的礬化鉈的化合物分別在單晶硅(01)的兩側進行二次或多次摻雜，形成所述的碲化釹化合層(02)及礬化鉈化合層(03)，形成一個PN結。

2.根據權利要求1所述的半導體制冷器件，其特征在于：所述的單晶硅(01)的純度大于等于99.95％。

3.根據權利要求1所述的半導體制冷器件，其特征在于：所述的碲化釹的純度大于等于99.99％。

4.根據權利要求1所述的半導體制冷器件，其特征在于：所述的碲化釹化合層(02)在單晶硅(01)的一側摻雜的厚度為單晶硅(01)的厚度的49.999％-50％，且摻雜的濃度為35％-48％，形成的所述的碲化釹化合層(02)作為半導體制冷器件的P型半導體。

5.根據權利要求1所述的半導體制冷器件，其特征在于：所述的礬化鉈的純度大于等于99.99％。

6.根據權利要求1所述的半導體制冷器件，其特征在于：所述的礬化鉈化合層(03)在單晶硅(01)的另一側摻雜的厚度為單晶硅(01)的厚度的49.999％-50％，且摻雜的濃度為35％-48％，形成的所述的礬化鉈化合層(03)作為半導體制冷器件的N型半導體。

7.一種權利要求1所述的半導體制冷器件的摻雜方法，其特征在于：該方法至少包括如下步驟：

步驟1，在單晶硅(01)的兩側表面注入雜質離子；

步驟2，在單晶硅(01)的兩側表面進行退火，同時將雜質離子在單晶硅(01)內再分布，恢復單晶硅(01)因高能離子束撞擊導致的晶格損傷。

8.根據權利要求7所述的半導體制冷器件的摻雜方法，其特征在于：所述的步驟1中還包括：

步驟1.1，在單晶硅(01)的摻雜面上，雜質離子注入單晶硅(01)的本體中；

步驟1.2，在非摻雜面上，雜質離子被單晶硅(01)的表面的保護層屏蔽。

9.根據權利要求7所述的半導體制冷器件的摻雜方法，其特征在于：所述的步驟1中退火的溫度范圍為950℃-1050℃；退火的時間范圍為25分鐘-35分鐘。