[發(fā)明專利]半導(dǎo)體芯片的制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010180248.2
• 申請日: 2010-05-14
• 公開（公告）號(hào): CN101887843A
• 公開（公告）日: 2010-11-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 市六信廣;橫田龍平
• 申請（專利權(quán)）人: 信越化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L21/00
• 分類號(hào): H01L21/00
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 段曉玲;艾尼瓦爾

1.半導(dǎo)體芯片的制備方法，該方法包括：

將保護(hù)膜形成片材結(jié)合到半導(dǎo)體晶片上以使得該保護(hù)膜與該半導(dǎo)體晶片的后表面接觸，該保護(hù)膜形成片材包括在一個(gè)表面上的具有可脫模性的基底膜和提供在具有可脫模性的基底膜的表面上的由熱固性樹脂組合物構(gòu)成的半導(dǎo)體芯片保護(hù)膜，

然后固化該保護(hù)膜，和然后

從所得到的固化的保護(hù)膜上剝落該基底膜。

2.權(quán)利要求1的半導(dǎo)體芯片的制備方法，其中該熱固性樹脂組合物包括：

(A)100質(zhì)量份的至少一種選自由苯氧基樹脂、聚酰亞胺樹脂和(甲基)丙烯酸類樹脂的樹脂，

(B)5～200質(zhì)量份的環(huán)氧樹脂，

(C)10～900質(zhì)量份的填料，和

(D)有效量的環(huán)氧樹脂固化催化劑。

3.權(quán)利要求1的半導(dǎo)體芯片的制備方法，其中該填料(C)包括10～100質(zhì)量份的涂覆有聚有機(jī)倍半硅氧烷樹脂的硅酮橡膠微粒。

4.權(quán)利要求1的半導(dǎo)體芯片的制備方法，其中該基底膜的一個(gè)表面具有的可脫模性是通過在該基底膜的表面上形成脫模劑的涂層而提供的。

5.權(quán)利要求4的半導(dǎo)體芯片的制備方法，其中該脫模劑是硅酮基脫模劑或醇酸基脫模劑。