[發(fā)明專利]太陽能電池及其制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010178151.8
• 申請日: 2010-05-14
• 公開（公告）號: CN102244137A
• 公開（公告）日: 2011-11-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 榮延棟
• 申請（專利權(quán)）人: 北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/052
• 代理公司: 北京中博世達專利商標(biāo)代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種太陽能電池制造方法，其特征在于，包括：

對太陽能電池基底進行氫處理，所述氫處理包括在含氫氣氛中于800攝氏度～1500攝氏度的溫度下處理太陽能電池基底。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池制造方法，其特征在于，所述氫處理包括在含氫氣氛中于900攝氏度的溫度下處理太陽能電池基底。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的太陽能電池制造方法，其特征在于，

所述對太陽能電池基底進行氫處理之前還包括：在所述太陽能電池基底中制造PN結(jié)，并對所述太陽能電池基底進行刻蝕；

所述對太陽能電池基底進行氫處理之后還包括：在所述太陽能電池基底上沉積減反射膜。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池制造方法，其特征在于，所述對太陽能電池基底進行氫處理包括：

將所述太陽能電池基底置于一個腔室中；

將所述腔室抽真空至第一壓力；

以特定流量向所述腔室通入含氫氣體，并使所述腔室保持第二壓力；

將所述太陽能電池基底加熱至800攝氏度～1500攝氏度并處理特定時間。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的太陽能電池制造方法，其特征在于，所述第一壓力為0.01Pa～0.5Pa。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的太陽能電池制造方法，其特征在于，所述含氫氣體為氫氣或氫氣和氦氣的混合氣體。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的太陽能電池制造方法，其特征在于，所述混合氣體中氫氣所占的體積比為20％～40％。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的太陽能電池制造方法，其特征在于，所述特定流量為2000sccm～8000sccm。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的太陽能電池制造方法，其特征在于，所述特定流量為5000sccm。

10.根據(jù)權(quán)利要求4所述的太陽能電池制造方法，其特征在于，所述第二壓力為10Pa～500Pa。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的太陽能電池制造方法，其特征在于，所述第二壓力為200Pa。

12.根據(jù)權(quán)利要求4所述的太陽能電池制造方法，其特征在于，所述特定時間為10秒～200秒。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的太陽能電池制造方法，其特征在于，所述特定時間為30秒。

14.一種太陽能電池，包括具有P型層和N型層的基底，所述基底的一側(cè)有背電極，所述基底的另一側(cè)有減反射膜，所述減反射膜上有穿過所述減反射膜并與所述基底接觸的前電極，其特征在于，所述太陽能電池在制造過程中經(jīng)歷過氫處理，所述氫處理包括在含氫氣氛中于800攝氏度～1500攝氏度的溫度下處理太陽能電池基底。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的太陽能電池，其特征在于，所述氫處理包括在含氫氣氛中于900攝氏度的溫度下處理太陽能電池基底。