[發(fā)明專利]一種測(cè)量微納米金屬互連線殘余變形的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010178097.7
• 申請(qǐng)日: 2010-05-14
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101839699A
• 公開(kāi)（公告）日: 2010-09-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 謝惠民;王慶華;徐可為;王劍鋒
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 清華大學(xué)
• 主分類號(hào): G01B11/16
• 分類號(hào): G01B11/16
• 代理公司: 北京鴻元知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11327
• 代理人: 邸更巖

1.一種測(cè)量微納米金屬互連線殘余變形的方法，其特征在于該方法包括如下步驟：

1)把沉積在基底上的微納米金屬互連線試樣放置于聚焦離子束系統(tǒng)的平臺(tái)上，選擇一根微納米金屬互連線的一個(gè)區(qū)域作為研究對(duì)象；

2)在微納米金屬互連線表面通過(guò)聚焦離子束輻照制作散斑或利用聚焦離子束刻蝕單向光柵，將散斑或單向光柵作為微納米金屬互連線上的微納米標(biāo)記；之后采集散斑或單向光柵的圖像，作為裂紋刻蝕前的微納米標(biāo)記圖像；

3)通過(guò)聚焦離子束系統(tǒng)中的聚焦離子束在微納米金屬互連線上的微納米標(biāo)記區(qū)域刻蝕一條垂直于軸向的貫穿裂紋，以釋放微納米金屬互連線內(nèi)部的軸向殘余應(yīng)力，再采集裂紋刻蝕后微納米金屬互連線上的微納米標(biāo)記圖像；

4)在微納米金屬互連線的裂紋附近選擇一個(gè)計(jì)算區(qū)域，使計(jì)算區(qū)域的一條邊為裂紋的邊緣，用數(shù)字圖像相關(guān)法分析微納米金屬互連線上裂紋刻蝕前、后的微納米標(biāo)記圖像，并計(jì)算微納米金屬互連線在裂紋附近由于軸向殘余應(yīng)力釋放而產(chǎn)生的變形，即為微納米金屬互連線的殘余變形。

2.按照權(quán)利要求1所述的一種測(cè)量微納米金屬互連線殘余變形的方法，其特征在于：在所選擇的微納米金屬互連線上用聚焦離子束制作微納米標(biāo)記、刻蝕裂紋、采集圖像均在聚焦離子束系統(tǒng)中原位進(jìn)行；若微納米標(biāo)記為散斑，聚焦離子束的輻照遍數(shù)為4～8；若微納米標(biāo)記為單向光柵，單向光柵的主方向與微納米金屬互連線的軸向平行，單向光柵的頻率為1000line/mm～10000line/mm。

3.按照權(quán)利要求1或2所述的測(cè)量微納米金屬互連線殘余變形的方法，其特征在于：在微納米金屬互連線上刻蝕的裂紋深度與微納米金屬互連線的厚度相等，裂紋寬度為30nm～50nm。