[發(fā)明專利]一種蔭罩式等離子顯示器驅動方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010177837.5
• 申請日: 2010-05-19
• 公開（公告）號: CN101853627A
• 公開（公告）日: 2010-10-06
• 發(fā)明（設計）人: 楊誠;張雄;彭永林
• 申請（專利權）人: 東南大學
• 主分類號: G09G3/28
• 分類號: G09G3/28;G09G3/288
• 代理公司: 南京經(jīng)緯專利商標代理有限公司 32200
• 代理人: 許方

技術領域

本發(fā)明涉及等離子顯示技術，特別是一種蔭罩式等離子顯示器的驅動方法。

背景技術

等離子體顯示器(PDP)具有大屏幕顯示、易于數(shù)字化和顯示效果好等優(yōu)勢，這使其在平板顯示器領域占有重要地位，目前PDP大多采用三電極表面放電的工作方式，其結構包括前玻璃基板、維持電極、掃描電極、介質層、保護層、RGB熒光粉層、障壁、尋址電極和后玻璃基板。

蔭罩式等離子顯示器(以下簡稱SMPDP)是近年來顯示平板業(yè)中的一項新興的顯示技術，它采用金屬障壁代替?zhèn)鹘y(tǒng)的絕緣障壁，簡化了制作障壁的工藝過程，從而大大降低了生產(chǎn)成本；另外，通過金屬障壁的引入，改變了PDP單元放電空間的電場以及工作特性。另有研究表明，該結構具有降低著火電壓，提高響應頻率等優(yōu)點。SMPDP的電極結構不同于廣泛使用的三電極表面放電結構，而是改為兩電極的對向放電型，減少了驅動電極，降低了驅動電路的復雜度，同時也有利于降低驅動電路的成本和提高驅動性能。但是，SMPDP作為新型的等離子體平板技術，其不同的結構決定了其放電過程及電路驅動的新要求。目前SMPDP普遍采用的ADS(尋址與顯示相分離)的驅動方法，其通過各個子場組合發(fā)光的灰階顯示模式，導致其不可避免的顯示動態(tài)圖像時具有動態(tài)偽輪廓的現(xiàn)象。傳統(tǒng)的ADS驅動方式未能有效的利用壁電荷，因此尋址速度較慢，通常單行尋址時間大于1.2微秒。為了提高顯示容量，必須改善面板均勻性，加快尋址速度，減少尋址期以獲得足夠的顯示期，實現(xiàn)高亮度顯示。

吳雋、湯勇明等人(吳雋，湯勇明，夏軍，王保平消除蔭罩式等離子體顯示器動態(tài)偽輪廓方法的研究[J].光電子技術，2005，25(3)：159-162)，對蔭罩式等離子顯示器產(chǎn)生動態(tài)偽輪廓的原理進行了深入分析并提出了通過子場維持發(fā)光的積累取代子場發(fā)光組合來實現(xiàn)灰度的驅動時序方法，該方法能夠從原理上消除蔭罩式等離子顯示中的動態(tài)偽輪廓，但該文并未給出具體的驅動方法。

發(fā)明內容

本發(fā)明的目的是針對現(xiàn)有SMPDP存在的問題，在傳統(tǒng)的SMPDP驅動方法的基礎上，提供一種新的驅動方法，該驅動方法能夠有效消除動態(tài)偽輪廓現(xiàn)象，使SMPDP達到較好的視頻圖像顯示效果、改善其因制作工藝誤差帶來的發(fā)光一致性和均勻性的問題，另外達到降低尋址能量功耗的目的。

本發(fā)明通過如下方案實現(xiàn)：

一種蔭罩式等離子顯示器驅動方法，利用驅動時序的調整，通過子場維持發(fā)光的積

累來顯示灰度等級，其特征在于：具體通過在行掃描電極上加載特定結構的驅動波形實現(xiàn)；該特定結構的驅動波形包括一個初始期子場和n(n為小于16的整數(shù)，子場過多會造成亮度的下降，在實際應用中通常取10-12個)個后續(xù)子場；其中初始期子場包括點火波形、尋址波形、擦除波形和維持波形；后續(xù)子場包括尋址波形、斜坡擦除波形和維持波形；其中最后一個后續(xù)子場在維持波形之后還有一段擦除波形；當像素單元顯示的灰度m＝0時，所有子場無尋址放電；當像素單元顯示的灰度m≠0時，初始期子場進行尋址放電，與灰度m相對應的后續(xù)子場亦進行尋址放電，形成反轉壁電壓，配合尋址期之后的斜坡擦除波形中和壁電荷，終止后續(xù)的維持放電發(fā)光，從而通過之前的所有維持脈沖發(fā)光的輝度來表征灰度。本發(fā)明的驅動方法通過子場維持發(fā)光的積累來顯示灰度，可從原理上徹底消除傳統(tǒng)ADS驅動方式造成的動態(tài)偽輪廓現(xiàn)象；本發(fā)明的驅動方法在一幀時間內由初始期子場和若干后續(xù)子場組成，每幀只在初始期子場有一個點火期，在初始期子場和后續(xù)某一子場各有一次尋址放電，或者一幀之內無尋址放電(像素顯示“黑”情況下)，從而可提高暗室對比度且使得尋址驅動能量功耗大大降低；本發(fā)明的驅動方法提出了在后續(xù)子場的尋址期利用窄脈沖尋址放電、尋址期結束后斜坡擦除的方案，在終止后續(xù)子場維持放電的同時可實現(xiàn)高速尋址，節(jié)省出的尋址時間可以適當增多子場數(shù)目或者維持期的脈沖個數(shù)，用以豐富灰階或者提高屏的顯示亮度。

本發(fā)明方案中后續(xù)子場中的擦除波形可使用線性斜坡波形或指數(shù)波波形。

為了進一步提高本發(fā)明方案中擦除的準確性，本發(fā)明還提出了一種掃描電壓基準分離的方案，即除初始期子場的掃描基準電壓與現(xiàn)有技術相同，均為GND(接地電壓)外，后續(xù)子場尋址期的掃描脈沖分為脈沖正電壓Vpp+和脈沖負電壓Vpp-兩部分，兩部分電壓幅值可分別調節(jié)，且可任意調節(jié)掃描電壓基準的高度，從而改變尋址放電強度；為保證行芯片的正常工作，兩者的壓差須低于行驅動芯片最大工作電壓，即滿足：

|Vpp+|+|Vpp-|＜行驅動芯片最大工作電壓。