[發明專利]一種摻鋁氧化鋅重摻雜N型硅歐姆接觸的制備方法

無效

• 申請號: 201010177758.4
• 申請日: 2010-05-20
• 公開（公告）號: CN101872801A
• 公開（公告）日: 2010-10-27
• 發明（設計）人: 陳朝;楊倩;潘淼;龐愛鎖;何發林;李艷華;武智平;鄭蘭花;羅學濤
• 申請（專利權）人: 廈門大學
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 廈門南強之路專利事務所 35200
• 代理人: 馬應森

1.一種摻鋁氧化鋅重摻雜N型硅歐姆接觸的制備方法，其特征在于包括以下步驟：

1)將P型多晶硅片清洗后，再以三氯氧磷為源擴磷，然后用氫氟酸腐蝕去表面的磷硅玻璃層，得擴磷后的多晶硅片；

2)在擴磷后的多晶硅片的N型層上光刻出圓形傳輸線模型圖形，再生長氧化鋅摻鋁薄膜，得樣品；

3)將樣品浸泡在丙酮中，剝離多晶硅片N型層上的光刻膠后，退火，得摻鋁氧化鋅重摻雜N型硅歐姆接觸。

2.如權利要求1所述的一種摻鋁氧化鋅重摻雜N型硅歐姆接觸的制備方法，其特征在于在步驟1)中，所述P型多晶硅片的電阻率為0.5～3.0Ω·cm。

3.如權利要求1所述的一種摻鋁氧化鋅重摻雜N型硅歐姆接觸的制備方法，其特征在于在步驟1)中，所述清洗的流程為：先將P型多晶硅片在去離子水中沖洗至少1遍，去除可見顆粒，再放入III號液中煮沸，冷卻后倒掉殘液，再用去離子水沖洗至少1遍后，放入腐蝕液中，腐蝕后用去離子水沖洗至少1遍后，放入II號液中，再水浴，倒掉殘液，再用去離子水沖洗至少1遍后烘干；然后，以三氯氧磷為源擴磷，再用氫氟酸腐蝕去表面的磷硅玻璃層；所得擴磷后的多晶硅片的方塊電阻為20Ω/□～50Ω/□；所述III號液為濃H₂SO₄∶H₂O₂＝4∶1；所述腐蝕液為HF∶HNO₃＝1∶3，所述II號液為HCl∶H₂O₂∶H₂O＝1∶2∶8。

4.如權利要求3所述的一種摻鋁氧化鋅重摻雜N型硅歐姆接觸的制備方法，其特征在于在步驟1)中，所述腐蝕的速率為1μm/s。

5.如權利要求1所述的一種摻鋁氧化鋅重摻雜N型硅歐姆接觸的制備方法，其特征在于在步驟1)中，所述烘干的溫度為120～130℃，烘干的時間為30min。

6.如權利要求1所述的一種摻鋁氧化鋅重摻雜N型硅歐姆接觸的制備方法，其特征在于在步驟1)中，所述擴磷的溫度為850～1050℃，擴磷的時間為3～10min。

7.如權利要求1所述的一種摻鋁氧化鋅重摻雜N型硅歐姆接觸的制備方法，其特征在于在步驟2)中，所述氧化鋅摻鋁薄膜的厚度為100～180nm。

8.如權利要求1所述的一種摻鋁氧化鋅重摻雜N型硅歐姆接觸的制備方法，其特征在于在步驟3)中，所述退火在微機擴散爐內退火。

9.如權利要求1所述的一種摻鋁氧化鋅重摻雜N型硅歐姆接觸的制備方法，其特征在于在步驟3)中，所述退火是在氮氣保護下退火。

10.如權利要求1所述的一種摻鋁氧化鋅重摻雜N型硅歐姆接觸的制備方法，其特征在于在步驟3)中，退火的溫度為350～600℃，退火的時間為2.5～15min。