[發明專利]一種大面積高取向性的氧化鋅納米薄片陣列的制備方法

有效

• 申請號: 201010176983.6
• 申請日: 2010-05-14
• 公開（公告）號: CN101844876B
• 公開（公告）日: 2012-05-09
• 發明（設計）人: 張躍;秦子;黃運華;齊俊杰;廖慶亮;李會峰;蘇嘉
• 申請（專利權）人: 北京科技大學
• 主分類號: C03C17/23
• 分類號: C03C17/23
• 代理公司: 北京東方匯眾知識產權代理事務所(普通合伙) 11296
• 代理人: 劉淑芬

1.一種大面積高取向性的氧化鋅納米薄片陣列的制備方法，其特征 在于，制備工藝為：

a.將等摩爾數的六水合硝酸鋅和六亞甲基四胺溶解于去離子水中， 進行超聲波處理至獲得白色的乳濁液，獲得的此溶液即為反應所需的前 驅液；前驅液中六水合硝酸鋅與六亞甲基四胺溶液的摩爾濃度均為 0.01～0.05M；

b.選用載有氧化鋅薄膜的導電玻璃片作為生長基底；用丙酮、無水 乙醇及去離子水進行反復清洗，最后將其烘干；將上述處理好的基片放 入第一步配制好的反應溶液中，密封后依次在三個不同的溫度下分別保 溫一段時間；控制反應溫度為高、中、低三個階段，高溫指90～110℃， 中溫指50℃～70℃之間，低溫指0～30℃；控制高、中、低三個反應溫 區的反應時間分別是24～28個小時、48～52小時、10～14小時；

c.反應結束后，將基片取出；先用去去離子水反復沖洗，清洗烘干 后可以看到基片上形成了均勻疏松的乳白色薄膜，此薄膜即為所制得的 氧化鋅納米薄片陣列。

2.如權利要求1所述的大面積高取向性的氧化鋅納米薄片陣列的制 備方法，其特征在于：選用的生長基底為載有200nm厚的氧化鋅薄膜的 FTO導電玻璃。

3.如權利要求1所述的大面積高取向性的氧化鋅納米薄片陣列的制 備方法，其特征在于：反應溶液在反應前超聲處理1～1.5小時。