[發明專利]一種高分散尺寸可控的納米羥基錫酸鋅陣列的制備方法無效
| 申請號： | 201010176968.1 | 申請日： | 2010-05-14 |
| 公開（公告）號： | CN101844798A | 公開（公告）日： | 2010-09-29 |
| 發明（設計）人： | 張躍;秦子;黃運華;齊俊杰;廖慶亮;王欽玉;邢修君;尹艷萍 | 申請（專利權）人： | 北京科技大學 |
| 主分類號： | C01G19/00 | 分類號： | C01G19/00 |
| 代理公司： | 北京東方匯眾知識產權代理事務所(普通合伙) 11296 | 代理人： | 劉淑芬 |
| 地址： | 100083*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 分散 尺寸 可控 納米 羥基 錫酸鋅 陣列 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種高分散尺寸可控的納米羥基錫酸鋅陣列的制備方法，其特征在于，制備工藝為：
a.將六水合硝酸鋅溶于去離子水中并超聲波處理充分溶解均勻，然后將氨水逐漸滴加到上述硝酸鋅水溶液中并不斷攪拌調節pH值范圍至9～10，水合硝酸鋅的濃度為0.09～0.1mol/L，獲得的此溶液即為反應所需的反應溶液；
b.選用α-{Cu，Sn}相的銅片作為生長基底；對基底進行拋光處理后放入反應釜中，加入a步驟配制好的反應溶液，在95～100℃下反應，反應時間控制為1小時～12小時；
c.反應結束后，將基片取出，先用去離子水反復沖洗，清洗烘干后可以看到基片上形成了十分均勻的乳白色薄膜，此薄膜即為所制得的羥基錫酸鋅納米單晶陣列。
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