[發(fā)明專利]用于化學(xué)蝕刻工件的裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010176814.2 | 申請日: | 2010-03-12 |
| 公開(公告)號: | CN101840850A | 公開(公告)日: | 2010-09-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | O·安塞爾;A·巴拉斯;P·本內(nèi)特;D·托塞爾 | 申請(專利權(quán))人: | SPP加工技術(shù)系統(tǒng)英國有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00;H01J37/32 |
| 代理公司: | 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會專利商標(biāo)事務(wù)所 11038 | 代理人: | 蔣旭榮 |
| 地址: | 英國*** | 國省代碼: | 英國;GB |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 化學(xué) 蝕刻 工件 裝置 | ||
1.一種使用處理氣體對工件進(jìn)行化學(xué)蝕刻的裝置,該裝置包括:腔室,該腔室用于接收處理氣體并具有用于抽取排出氣體的泵送口;和在腔室中位于泵送口上游的工件支撐部,其特征在于,該腔室進(jìn)一步包括副腔,該副腔位于泵送口的上游及工件支撐部的下游,所述副腔包括窗口和臨近窗口的激發(fā)源,該激發(fā)源用于在排出氣體的樣品中產(chǎn)生等離子體,從而產(chǎn)生可以通過窗口被監(jiān)測的光發(fā)射。
2.如權(quán)利要求1所述的裝置,其中,所述副腔包括延長部或終端,在延長部或終端中形成有所述窗口,所述激發(fā)源包括線圈或電容器,所述線圈或電容器圍繞著延長部或終端并離開其設(shè)置。
3.如權(quán)利要求1或2所述的裝置,其中窗口大體上與泵送口相對。
4.如前述權(quán)利要求的任一項所述的裝置,其進(jìn)一步包括監(jiān)測器,所述監(jiān)測器用于監(jiān)測可通過窗口看到的光發(fā)射。
5.如權(quán)利要求4所述的裝置,其進(jìn)一步包括控制器,所述控制器用于由監(jiān)測的光發(fā)射確定處理終點。
6.如前述權(quán)利要求的任一項所述的裝置,其進(jìn)一步包括提供離子化的處理氣體的源。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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