[發明專利]半導體器件

有效

• 申請號: 201010176519.7
• 申請日: 2010-05-10
• 公開（公告）號: CN101894816A
• 公開（公告）日: 2010-11-24
• 發明（設計）人: 安村文次;土屋文男;伊東久范;井手琢二;川邊直樹;佐藤齊尚
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L23/485
• 分類號: H01L23/485;H01L21/607
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華;陳宇萱

1.一種半導體器件，包括安裝于其上的四邊形半導體芯片，所述半導體芯片具有：

主表面，其中布置有多個鍵合焊盤，每個鍵合焊盤為矩形形狀，被分為鍵合區域和探針區域；以及

與所述主表面相對的背表面，

其中：

所述半導體芯片在每個所述鍵合焊盤的較高層中具有保護膜；

所述保護膜覆蓋每個所述鍵合焊盤的外圍，并且具有開口以暴露每個所述鍵合焊盤的上表面；以及

所述保護膜與每個鍵合焊盤的外圍在所述鍵合區域中的交疊寬度變得寬于所述保護膜與每個鍵合焊盤的外圍在所述探針區域中的交疊寬度。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述保護膜中的開口具有凸形形狀。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，進一步包括：

布線襯底，具有：主表面，其中形成有多個鍵合引線；以及與所述主表面相對的背表面；

焊盤區域，其中所述鍵合焊盤沿所述半導體芯片的各側部布置在所述半導體芯片的所述主表面上方；以及

核心區域，其中集成電路形成于所述焊盤區域的內側，其中：

所述半導體芯片按照所述布線襯底的所述主表面與所述半導體芯片的所述背表面彼此面對的方式安裝在所述布線襯底的所述主表面上方；

所述鍵合焊盤與所述鍵合引線由鍵合接線電耦合；以及

所述鍵合焊盤按照所述鍵合區域比所述探針區域更為靠近所述半導體芯片的側部的方式來布置。

4.根據權利要求3所述的半導體芯片，其中：

所述鍵合接線通過超聲波振動與熱壓一起使用的鍵合技術被分別電耦合至所述鍵合焊盤。

5.根據權利要求4所述的半導體器件，其中

所述鍵合接線是金線，以及

所述鍵合焊盤為包含鋁膜作為主要材料的金屬膜。

6.根據權利要求5所述的半導體器件，其中

所述保護膜填充在相鄰的鍵合焊盤之間。

7.根據權利要求6所述的半導體器件，其中

所述保護膜包含其中形成有多個絕緣膜的層壓膜，以及

在最上層中的絕緣膜為氮化硅膜。

8.根據權利要求7所述的半導體器件，其中

在所述鍵合區域中所述保護膜與每個鍵合焊盤的外圍的交疊寬度寬于2.5μm。

9.根據權利要求8所述的半導體器件，其中

在所述鍵合區域中所述保護膜與每個鍵合焊盤的外圍的交疊寬度為5μm，以及

在所述探針區域中所述保護膜與每個鍵合焊盤的外圍的交疊寬度為2.5μm。

10.根據權利要求9所述的半導體器件，其中：

所述保護膜包含具有第一厚度的第一絕緣膜、具有厚于所述第一厚度的第二厚度的在所述第一絕緣膜上方的第二絕緣膜以及在所述第二絕緣膜上方作為最上層的第三絕緣膜；

每個鍵合焊盤的外圍覆蓋有包含所述第一絕緣膜和所述第二絕緣膜的層壓膜；以及

所述第三絕緣膜進一步覆蓋所述鍵合焊盤上方的所述第一絕緣膜和所述第二絕緣膜的端部。

11.根據權利要求10所述的半導體器件，其中

所述第三絕緣膜與每個所述鍵合焊盤的交疊寬度為2.5μm。

12.根據權利要求11所述的半導體器件，其中

所述半導體芯片、所述鍵合接線以及所述布線襯底的所述主表面的一部分由包含絕緣樹脂的樹脂密封材料密封。

13.根據權利要求12所述的半導體器件，其中

所述布線襯底以及構成所述樹脂密封材料的樹脂部件由無鹵素部件制成。

14.根據權利要求13所述的半導體器件，其中

所述布線襯底的所述背表面提供有焊料球。