[發明專利]一種用于橫向誘導晶化低溫多晶硅薄膜的多層膜結構無效
| 申請號： | 201010175524.6 | 申請日： | 2010-05-17 |
| 公開（公告）號： | CN101819999A | 公開（公告）日： | 2010-09-01 |
| 發明（設計）人： | 趙淑云 | 申請（專利權）人： | 廣東中顯科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/786 | 分類號： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京泛華偉業知識產權代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇 |
| 地址： | 528225 廣東省佛山*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 用于 橫向 誘導 低溫 多晶 薄膜 多層 膜結構 | ||
1.一種用于橫向誘導晶化低溫多晶硅薄膜的多層膜結構，包括：
襯底；
位于該襯底上的非晶硅薄膜；
位于該非晶硅薄膜上的低溫氧化物層；
穿透所述低溫氧化物層且暴露出所述非晶硅薄膜的凹槽；
位于所述暴露的非晶硅表面上的薄膜；
其中，所述薄膜由鎳硅氧化物制成。
2.根據權利要求1所述的用于橫向誘導晶化低溫多晶硅薄膜的多層膜結構，其特征在于，所述鎳硅氧化物薄膜的厚度為2.5～50
3.根據權利要求1所述的用于橫向誘導晶化低溫多晶硅薄膜的多層膜結構，其特征在于，所述鎳硅氧化物薄膜通過蒸發、旋涂方法制成。
4.根據權利要求1所述的用于橫向誘導晶化低溫多晶硅薄膜的多層膜結構，其特征在于，通過濺射鎳硅合金靶形成所述鎳硅氧化物薄膜。
5.根據權利要求4所述的用于橫向誘導晶化低溫多晶硅薄膜的多層膜結構，其特征在于，所述鎳硅合金靶中鎳與硅的比例為1∶1～1∶50。
6.根據權利要求5所述的用于橫向誘導晶化低溫多晶硅薄膜的多層膜結構，其特征在于，所述鎳硅合金靶中鎳與硅的比例為1∶9。
7.根據權利要求6所述的用于橫向誘導晶化低溫多晶硅薄膜的多層膜結構，其特征在于，所述鎳硅氧化物中氧、硅和鎳的原子濃度比為40∶21∶1。
8.根據權利要求4所述的用于橫向誘導晶化低溫多晶硅薄膜的多層膜結構，其特征在于，所述濺射過程在氧氣和氬氣的環境下進行，濺射功率為7W至40W。
9.根據權利要求7所述的用于橫向誘導晶化低溫多晶硅薄膜的多層膜結構，其特征在于，所述氧氣和氬氣的比例為1∶100至1∶200。
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