[發明專利]一種雙諧振腔與波導的耦合結構無效
| 申請號： | 201010175443.6 | 申請日： | 2010-05-12 |
| 公開（公告）號： | CN101859979A | 公開（公告）日： | 2010-10-13 |
| 發明（設計）人： | 王世江;黃永箴;楊躍德 | 申請（專利權）人： | 中國科學院半導體研究所 |
| 主分類號： | H01S5/026 | 分類號： | H01S5/026;H01S5/40 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 周國城 |
| 地址： | 100083 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 諧振腔 波導 耦合 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種雙諧振腔與波導的耦合結構，其特征在于，該結構包括：
一個襯底；
兩個制作于襯底上的諧振腔；以及
一個制作于襯底上且位于兩個諧振腔之間的條形輸出波導。
2.根據權利要求1所述的雙諧振腔與波導的耦合結構，其特征在于，所述諧振腔具有形成諧振的腔體結構。
3.根據權利要求1所述的雙諧振腔與波導的耦合結構，其特征在于，所述諧振腔具有一含有有下限制層、有源層和上限制層結構，該結構包括：
一個制作于襯底上的下限制層；
一個制作于下限制層上的有源層，該有源層的形狀與下限制層相同；以及
一個制作于有源層上的上限制層，該上限制層的形狀與下限制層相同。
4.根據權利要求1所述的雙諧振腔與波導的耦合結構，其特征在于，所述條形輸出波導為單模波導或多模波導，寬度小于所述諧振腔的半徑。
5.根據權利要求1所述的雙諧振腔與波導的耦合結構，其特征在于，所述條形輸出波導為淺刻蝕輸出波導，或者為深刻蝕輸出波導。
6.根據權利要求1所述的雙諧振腔與波導的耦合結構，其特征在于，所述兩個諧振腔結構相同，呈圓柱、圓環或者正方形。
7.根據權利要求1所述的雙諧振腔與波導的耦合結構，其特征在于，所述條形輸出波導與所述諧振腔相切、相交或具有一定的間隙，間隙的大小需要能夠保證諧振腔與波導形成有效耦合。
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