[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其形成方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010175237.5
• 申請日: 2010-02-12
• 公開（公告）號: CN101826528A
• 公開（公告）日: 2010-09-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 金基玄;金漢洙;趙源錫;金鎮(zhèn)瑚;張在焄;孫炳根
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/115
• 分類號: H01L27/115;H01L21/8247
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 張波

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

交替地層疊在襯底上的絕緣圖案和柵圖案；

在所述襯底上沿所述絕緣圖案和所述柵圖案的側(cè)壁向上延伸的有源圖案；

插置在所述柵圖案和所述有源圖案之間的數(shù)據(jù)存儲圖案；以及

設(shè)置于在彼此相鄰的一對柵圖案之間的所述有源圖案中的源/漏區(qū)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1的所述半導(dǎo)體器件，其中在所述源/漏區(qū)中的摻雜劑濃度不同于在所述有源圖案中的摻雜劑濃度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1的所述半導(dǎo)體器件，其中所述絕緣圖案的側(cè)壁通過相對于所述柵圖案的側(cè)壁橫向地凹入而限定底切區(qū)，半導(dǎo)體圖案設(shè)置于所述底切區(qū)中，且

其中所述源/漏區(qū)在所述半導(dǎo)體圖案中延伸。

4.根據(jù)權(quán)利要求3的所述半導(dǎo)體器件，其中所述數(shù)據(jù)存儲圖案延伸為插置在所述柵圖案與所述底切區(qū)中的源/漏區(qū)之間。

5.根據(jù)權(quán)利要求4的所述半導(dǎo)體器件，其中所述數(shù)據(jù)存儲圖案包括鄰近所述有源圖案的隧穿勢壘、鄰近所述柵圖案的阻擋絕緣圖案和插置在所述隧穿勢壘與所述阻擋絕緣圖案之間的電荷存儲圖案。

6.根據(jù)權(quán)利要求1的所述半導(dǎo)體器件，其中多個源/漏區(qū)設(shè)置于所述有源圖案中且彼此垂直地分隔開。

7.根據(jù)權(quán)利要求1的所述半導(dǎo)體器件，還包括：

設(shè)置于最低的柵圖案與所述襯底之間的基源區(qū)；和

設(shè)置于最高的柵圖案上的串漏區(qū)。

8.一種形成半導(dǎo)體器件的方法，該方法包括：

在襯底上交替地層疊第一物質(zhì)層和第二物質(zhì)層；

形成穿透所述第一物質(zhì)層和所述第二物質(zhì)層的開口；

通過凹入所述第一物質(zhì)層的由所述開口暴露的側(cè)壁而限定底切區(qū)；

在所述底切區(qū)中形成包含摻雜劑的半導(dǎo)體圖案；

在所述開口中形成沿所述第一物質(zhì)層和所述第二物質(zhì)層的側(cè)壁向上延伸的有源圖案；以及

通過將所述半導(dǎo)體圖案中的摻雜劑移動到所述有源圖案中而形成源/漏區(qū)。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，還包括：

通過依次圖案化鄰近所述開口的所述第一物質(zhì)層和所述第二物質(zhì)層而形成溝槽；

通過去除由所述溝槽暴露的所述第二物質(zhì)層而形成暴露所述有源圖案的側(cè)壁的空白區(qū)域；

在所述暴露的有源圖案的側(cè)壁上形成數(shù)據(jù)存儲圖案；以及

形成柵圖案，每個柵圖案填充所述空白區(qū)域。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，還包括：在所述半導(dǎo)體圖案形成之前，在所述底切區(qū)的內(nèi)壁上和所述第二物質(zhì)層的由所述開口暴露的側(cè)壁上形成數(shù)據(jù)存儲層，

其中所述第二物質(zhì)層包括導(dǎo)電物質(zhì)。