[發(fā)明專利]一種水熱合成制備太陽能吸收層材料Cu2ZnSnS4的方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010174921.1 | 申請日： | 2010-05-14 |
| 公開（公告）號： | CN101844797A | 公開（公告）日： | 2010-09-29 |
| 發(fā)明（設計）人： | 胡俊青;田啟威;宋岳林;陳志鋼;唐明華 | 申請（專利權）人： | 東華大學 |
| 主分類號： | C01G19/00 | 分類號： | C01G19/00 |
| 代理公司： | 上海泰能知識產權代理事務所 31233 | 代理人： | 黃志達;謝文凱 |
| 地址： | 201620 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 合成 制備 太陽能 吸收 材料 cu sub znsns 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種水熱合成制備太陽能吸收層材料Cu2ZnSnS4的方法，包括：
(1)稱取摩爾比為2∶1∶1的Cu2+、Zn2+、Sn2+的鹽放入圓底燒瓶中，然后加入乙二醇，配成0.01-0.5M的溶液A，室溫，攪拌溶解；
(2)稱取Cu2+、Zn2+、Sn2+物質的量之和1-5倍的Na2S固體，加入乙二醇，同樣配成0.01-0.5M的溶液B，超聲溶解；
(3)攪拌條件下，將A與B按體積比1∶1混合，轉移至高壓反應釜中，反應時間為1-48小時，溫度為100-240℃，離心分離，即得到Cu2ZnSnS4納米球。
2.根據權利要求1所述的一種水熱合成制備太陽能吸收層材料Cu2ZnSnS4的方法，其特征在于：所述步驟(1)中Cu2+的鹽為CuCl2·2H2O；Zn2+的鹽為ZnSO4.7H2O；Sn2+的鹽為SnCl2.2H2O。
3.根據權利要求1所述的一種水熱合成制備太陽能吸收層材料Cu2ZnSnS4的方法，其特征在于：所述步驟(1)中溶液A的濃度為0.1-0.2M。
4.根據權利要求1所述的一種水熱合成制備太陽能吸收層材料Cu2ZnSnS4的方法，其特征在于：所述步驟(2)中溶液B的濃度為0.2-0.5M。
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