[發(fā)明專利]固態(tài)圖像拾取裝置及其制造方法、以及電子設備無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010174450.4 | 申請日: | 2010-05-10 |
| 公開(公告)號: | CN101887901A | 公開(公告)日: | 2010-11-17 |
| 發(fā)明(設計)人: | 大塚洋一;小川和明;名取太知;山本篤志;越野安教;上家仁美;東宮祥哲;堂福忠幸;堀伊奈;勝谷隆之;狹山征博;下地誠也;田中良和 | 申請(專利權(quán))人: | 索尼公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H04N5/335 |
| 代理公司: | 北京東方億思知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 11258 | 代理人: | 王安武;南霆 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 固態(tài) 圖像 拾取 裝置 及其 制造 方法 以及 電子設備 | ||
1.一種固態(tài)圖像拾取裝置,包括:
固態(tài)圖像拾取元件,其能夠根據(jù)所接收的光的量而產(chǎn)生電荷;
透鏡,其布置在所述固態(tài)圖像拾取元件的像素的上側(cè);
保護膜,其覆蓋所述透鏡的上側(cè),并且其表面被平坦化;和
表面膜,其形成于所述保護膜的所述表面處,并且比所述保護膜的內(nèi)部親水性高。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)圖像拾取裝置,
其中,所述保護膜由含氟硅烷化合物形成;并且
所述表面膜比所述保護膜的所述內(nèi)部氟含量低。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)圖像拾取裝置,
其中,所述保護膜由含氟硅氧烷樹脂形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)圖像拾取裝置,
其中,所述保護膜由混合有硅石顆粒的含氟硅氧烷樹脂形成,所述硅石顆粒內(nèi)部具有空洞。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)圖像拾取裝置,
其中,所述表面膜是通過使所述保護膜的所述表面受到用含氧氣體進行的等離子體處理而形成的膜。
6.一種制造固態(tài)圖像拾取裝置的方法,包括下列步驟:
在固態(tài)圖像拾取元件的像素的上側(cè)形成透鏡;
用保護膜覆蓋所述透鏡并使所述保護膜的表面平坦化;并且
在所述保護膜的所述表面處形成表面膜,所述表面膜比所述保護膜的內(nèi)部親水性高。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,
其中,所述表面膜是通過使所述保護膜的所述表面受到用含氧氣體進行的等離子體處理而形成的。
8.一種電子設備,包括:
固態(tài)圖像拾取裝置;和
信號處理單元,其能夠?qū)谟伤龉虘B(tài)圖像拾取裝置產(chǎn)生的電荷的信號進行處理;
其中,所述固態(tài)圖像拾取裝置包括:
固態(tài)圖像拾取元件,其能夠根據(jù)所接收的光的量而產(chǎn)生電荷;
透鏡,其布置在所述固態(tài)圖像拾取元件的像素的上側(cè);
保護膜,其覆蓋所述透鏡的上側(cè),并且其表面被平坦化;和
表面膜,其形成于所述保護膜的所述表面處,并且比所述保護膜的內(nèi)部親水性高。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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