[發(fā)明專利]具有選擇性發(fā)射級太陽能電池片

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010174164.8
• 申請日: 2010-05-18
• 公開（公告）號: CN101866971A
• 公開（公告）日: 2010-10-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 孫劍波;孫鐵囤;葉慶好
• 申請（專利權(quán)）人: 常州億晶光電科技有限公司
• 主分類號: H01L31/052
• 分類號: H01L31/052;H01L31/0224
• 代理公司: 常州市維益專利事務(wù)所 32211
• 代理人: 周祥生

【技術(shù)領(lǐng)域】

本發(fā)明涉及晶體硅太陽能電池，尤其涉及具有選擇性發(fā)射級太陽能電池片。

【背景技術(shù)】

隨著人們對再生綠色能源需求量的增長，晶體硅太陽能電池技術(shù)得到了快速發(fā)展。現(xiàn)有的晶體硅太陽能電池片的結(jié)構(gòu)如圖1所示，它由硅片1、金字塔絨面2、、減反射膜6、背銀電極7、鋁背場8、柵銀電極9和均勻摻雜層10組成，均勻摻雜層10覆蓋在硅片1的上表面上，在均勻摻雜層10上沉積有減反射膜6，柵銀電極9印刷在減反射膜6上，在硅片1的下表面分別印制有背銀電極7和鋁背場8，這種結(jié)構(gòu)的晶體硅太陽能電池片的光電轉(zhuǎn)換效率一般在16％左右。隨著太陽能電池的廣泛應(yīng)用，人們對太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率提出更高要求。因此，必須開發(fā)光電轉(zhuǎn)換效率更高的晶體硅太陽能電池片。

【發(fā)明內(nèi)容】

為了提高電池片的轉(zhuǎn)換效率，本發(fā)明的目的是提供一種具有選擇性發(fā)射級太陽能電池片。

本發(fā)明所述具有選擇性發(fā)射級太陽能電池片，其特征是：它由硅片、金字塔絨面、電極槽、重摻雜層、輕摻雜層、減反射膜、背銀電極、鋁背場和柵銀電極組成，在硅片的兩側(cè)面均制有金字塔絨面，電極槽開設(shè)在硅片的上表面，重摻雜層擴散在電極槽中，重摻雜層的方塊電阻小于30Ω/□；在硅片上表面的金字塔絨面上擴散有輕摻雜層，輕摻雜層的方塊電阻大于100Ω/□；柵銀電極印制在電極槽中的重摻雜層上，在輕摻雜層的上表面沉積有減反射膜，在硅片的下表面上分別印制有背銀電極和鋁背場，背銀電極和鋁背場都與金字塔絨面粘連為一體。

這種結(jié)構(gòu)的太陽能電池，在電池片表面形成了選擇性發(fā)射級，在電極槽接觸的地方形成良好的低歐姆接觸，減小了接觸電阻引起的損耗；而在非電極槽接觸的地方形成了高歐姆區(qū)，其目的是為了避免電池片表面形成死層，從而減少光生電子空穴對的復(fù)合損耗。本發(fā)明能使晶體硅太陽能電池片具備選擇性發(fā)射級，提高了電池片的轉(zhuǎn)換效率，與現(xiàn)有同類產(chǎn)品相比，平均光電轉(zhuǎn)化效率提高2％-3％，達到18％以上，使光伏產(chǎn)業(yè)給社會帶來更大的收益，它解決了晶體硅電池光電轉(zhuǎn)化效率偏低的技術(shù)問題。

【附圖說明】

圖1為現(xiàn)有晶體硅太陽能電池的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明中硅片的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖中：1-硅片；2-金字塔絨面；3-電極槽；4-重摻雜層；5-輕摻雜層；6-減反射膜；7-背銀電極；8-鋁背場；9-柵銀電極；10-均勻摻雜層。

【具體實施方式】

下面以單晶硅太陽能電池片為例來說明本發(fā)明的具體實施方式。

本發(fā)明所述具有選擇性發(fā)射級太陽能電池片，如圖2、圖3所示，它由硅片1、金字塔絨面2、電極槽3、重摻雜層4、輕摻雜層5、減反射膜6、背銀電極7、鋁背場8和柵銀電極9組成，在硅片1的兩側(cè)面均制有金字塔絨面2，電極槽3開設(shè)在硅片1的上表面，重摻雜層4擴散在電極槽3中，重摻雜層4的方塊電阻小于30Ω/□；在硅片1上表面的金字塔絨面2上擴散有輕摻雜層5，輕摻雜層5的方塊電阻大于100Ω/□；柵銀電極9印制在電極槽3中的重摻雜層4上，在輕摻雜層5的上表面沉積有減反射膜6，在硅片1的下表面上分別印制有背銀電極7和鋁背場8，背銀電極7和鋁背場8都與金字塔絨面2粘連為一體。