[發明專利]穿透式太陽能電池模塊及制造穿透式太陽能電池模塊方法有效
| 申請號: | 201010174086.1 | 申請日: | 2010-05-04 |
| 公開(公告)號: | CN102237376A | 公開(公告)日: | 2011-11-09 |
| 發明(設計)人: | 李適維;林清儒;黃偉民;侯契宏;陳彥君 | 申請(專利權)人: | 綠陽光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/142 | 分類號: | H01L27/142;H01L21/782 |
| 代理公司: | 北京市浩天知識產權代理事務所 11276 | 代理人: | 劉云貴;劉海英 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 穿透 太陽能電池 模塊 制造 方法 | ||
1.一種穿透式太陽能電池模塊,其特征在于,其包括:
一透光基板;
多個塊狀金屬電極,其以矩陣方式形成于所述透光基板上,且各塊狀金屬電極不沿著一第一方向接觸相鄰的塊狀金屬電極;
多個塊狀光電轉換層,各塊狀光電轉換層以矩陣方式沿著所述第一方向形成于相對應的所述塊狀金屬電極與所述透光基板上,以及沿著相異于所述第一方向的一第二方向形成于相對應的塊狀金屬電極以及所述透光基板上,且各塊狀光電轉換層不沿著所述第一方向接觸相鄰的塊狀光電轉換層;以及
多個條狀透光電極,各條狀透光電極沿所述第一方向形成于相對應的所述塊狀光電轉換層與所述透光基板上,且沿所述第二方向形成于相對應的所述塊狀光電轉換層與所述塊狀金屬電極上,以使所述多個塊狀金屬電極以及所述多個條狀透光電極沿著所述第二方向互相串聯。
2.如權利要求1所述的穿透式太陽能電池模塊,其特征在于,各條狀透光電極于所述第二方向形成于相對應的所述塊狀光電轉換層、所述塊狀金屬電極、以及所述透光基板上。
3.如權利要求1所述的穿透式太陽能電池模塊,其特征在于,所述穿透式太陽能電池模塊還包括:
一緩沖層,其形成于所述塊狀光電轉換層與所述條狀透光電極之間,所述緩沖層由硫化鋅以及本質氧化鋅所組成。
4.如權利要求1所述的穿透式太陽能電池模塊,其特征在于,所述透光基板為一鈉鈣玻璃。
5.如權利要求1所述的穿透式太陽能電池模塊,其特征在于,所述塊狀金屬電極由鉬金屬所組成。
6.如權利要求1所述的穿透式太陽能電池模塊,其特征在于,所述塊狀光電轉換層由銅銦硒化鎵化合物所組成。
7.如權利要求1所述的穿透式太陽能電池模塊,其特征在于,所述條狀透光電極為由氧化鋁鋅或銦錫氧化物組成的一透光導電層。
8.一種用來制造穿透式太陽能電池模塊的方法,其特征在于,其包括:
在一透光基板上形成一金屬電極層;
沿著一第一方向以及相異于所述第一方向的一第二方向移除部分所述金屬電極層,以形成數組式排列的多個塊狀金屬電極;
于所述多個塊狀金屬電極以及所述透光基板上形成一光電轉換層;
沿著所述第一方向移除部分所述光電轉換層以露出部分所述多個塊狀金屬電極,以及沿著所述第二方向移除部分所述光電轉換層以露出部分所述透光基板,借此形成數組式排列的多個塊狀光電轉換層;
于所述多個塊狀金屬電極、所述多個塊狀光電轉換層、以及所述透光基板上形成一透光電極層;以及
沿著所述第一方向移除部分所述透光電極層以形成間隔排列的多個條狀透光電極,以使所述多個條狀金屬電極以及所述多個塊狀透光電極沿著所述第二方向互相串聯。
9.如權利要求8所述的方法,其特征在于,沿著所述第一方向移除部分所述光電轉換層以露出部分所述多個塊狀金屬電極包括沿著所述第一方向移除部分所述光電轉換層以露出部分所述多個塊狀金屬電極以及部分所述透光基板。
10.如權利要求8所述的方法,其特征在于,所述方法還包括:于所述透光基板上形成所述金屬電極層前,清洗所述透光基板。
11.如權利要求8所述的方法,其特征在于,所述方法還包括:
形成一緩沖層于所述光電轉換層與所述透光電極層之間。
12.如權利要求8所述的方法,其特征在于,沿著所述第一方向以及所述第二方向移除部分所述金屬電極層包括利用雷射切割技術沿著所述第一方向以及所述第二方向切割所述金屬電極層。
13.如權利要求8所述的方法,其特征在于,沿著所述第一方向以及所述第二方向移除部分所述光電轉換層包括使用一刮刀沿著所述第一方向以及所述第二方向刮除部分所述光電轉換層。
14.如權利要求8所述的方法,其特征在于,沿著所述第一方向移除部分所述透光電極層包括使用一刮刀沿著所述第一方向刮除部分所述透光電極層。
15.如權利要求8所述的方法,其特征在于,沿著所述第一方向移除部分所述透光電極層包括沿著所述第一方向移除部分所述透光電極層的同時移除部分所述光電轉換層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





