[發(fā)明專利]集成電路結(jié)構(gòu)的形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010174077.2
• 申請日: 2010-05-06
• 公開（公告）號: CN101882589A
• 公開（公告）日: 2010-11-10
• 發(fā)明（設計）人: 陳憲偉;陳英儒
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L21/768
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 陳紅

1.一種形成一集成電路結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，包含：

形成一第一金屬層于一基材的一第一隔離層上；

形成一第二圖案化隔離層于該基材上，該第二圖案化隔離層具有位于該第二圖案化隔離層中的一金屬鑲嵌開口，以暴露出該第一金屬層的一部分，該金屬鑲嵌開口具有形成于該金屬鑲嵌開口中的一第二隔離層部分；

以一第二金屬層來填充該金屬鑲嵌開口，以將該第二隔離層部分嵌入該第二金屬層；以及

形成一鈍化層于該第二圖案化隔離層和該第二金屬層上，其中該鈍化層部分地覆蓋該第二金屬層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成一集成電路結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，該第二隔離層的材料選自由未摻雜的硅酸鹽玻璃、氮化硅、摻雜硼的硅酸玻璃、摻雜磷的硅酸玻璃、摻雜硼和磷的硅酸玻璃、聚酰亞胺、苯環(huán)丁烯、聚對二甲苯、類鉆碳、甲基環(huán)戊烯酮醇、碳化氟、含甲基的硅酸鹽、含氫的硅酸鹽、納米氧化硅、或碳摻雜的二氧化硅及其組合物所組成的一群組。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成一集成電路結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，該第二隔離層部分具有介于2000埃至15000埃間的一厚度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成一集成電路結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，該鑲嵌開口具有一雙鑲嵌結(jié)構(gòu)發(fā)一溝渠和一介層窗。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成一集成電路結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，該第二金屬層的材料選自由銅、銅合金、鎢鋁、與其合金所組成的一群組。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成一集成電路結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，還包含在形成該鈍化層之前，平坦化該第二金屬層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成一集成電路結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，還包含：

形成一凸塊下冶金層于該鈍化層上，該凸塊下冶金層與該第二金屬層接觸；以及

形成一焊料凸塊于該凸塊下冶金層上。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的形成一集成電路結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，還包含：

形成一導電層于該鈍化層上；以及

附加一接合線至該導電層。

9.一種形成一集成電路結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，包含：

提供一半導體基材，該半導體基材具有形成于一第一隔離層上的一第一金屬層；

形成具有一第一鑲嵌開口的一第二隔離層，該第一鑲嵌開口具有形成于該第一鑲嵌開口中的該第二隔離層的一部分；

沉積一光刻膠層來填充該第一鑲嵌開口，并圖案化該光刻膠層，以形成用以蝕刻一第二鑲嵌開口的一蝕刻掩膜；

蝕刻該第二鑲嵌開口至該第二隔離層的一部分中，該第二鑲嵌開口暴露出該第一金屬層的一部分；

形成一第二金屬層，以包含填充該第一和第二鑲嵌開口，使該第二隔離層部分嵌入該第二金屬層中；

平坦化該第二基屬層；以及

形成一鈍化層于該第二隔離層和該第二金屬層上，其中該鈍化層部分地覆蓋該第二金屬層。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的形成一集成電路結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，該第二隔離層的材料選自由未摻雜的硅酸鹽玻璃、氮化硅、摻雜硼的硅酸玻璃、摻雜磷的硅酸玻璃、摻雜硼和磷的硅酸玻璃、聚酰亞胺、苯環(huán)丁烯、聚對二甲苯、類鉆碳、甲基環(huán)戊烯酮醇、碳化氟、含甲基的硅酸鹽、含氫的硅酸鹽、納米氧化硅、或碳摻雜的二氧化硅及其組合物所組成的一群組。