[發明專利]恒溫型晶體振蕩器無效
| 申請號: | 201010173540.1 | 申請日: | 2010-05-07 |
| 公開(公告)號: | CN101895255A | 公開(公告)日: | 2010-11-24 |
| 發明(設計)人: | 伊藤學;見留博之;追田武雄 | 申請(專利權)人: | 日本電波工業株式會社 |
| 主分類號: | H03B5/04 | 分類號: | H03B5/04;G05D23/20 |
| 代理公司: | 北京戈程知識產權代理有限公司 11314 | 代理人: | 程偉;王錦陽 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 恒溫 晶體振蕩器 | ||
技術領域
本發明涉及一種使用晶體振子的恒溫型晶體振蕩器(TemperatureControlled?Crystal?Oscillator)(以下稱作恒溫型振蕩器),特別是涉及檢測恒溫型振蕩器的周圍溫度的恒溫型振蕩器。
背景技術
(發明背景)
恒溫型振蕩器特別是通過保持晶體振子(crystal?resonator)的工作溫度恒定,從而不發生依存頻率溫度特性的頻率變化,例如,可以得到0.1ppm以下,或者1ppb程度的高穩定的振蕩頻率。并且,恒溫型振蕩器特別適用于通訊設備的固定基站。
圖10和圖11為說明專利文獻1(日本特開2005-165630號公報)中記載的恒溫型振蕩器的一現有技術實例的示意圖,圖10A為恒溫型振蕩器的剖視圖,圖10B為電路基板的平面圖,圖11為溫控電路的示意電路圖。
如圖10A和圖10B所示,恒溫型振蕩器1具有表面安裝振子2、振蕩電路3和溫控電路4,形成這些的各元件設置在金屬底板5上面的電路基板6上。導線7a-7d(這里為了避免圖示復雜化未剖面表示)穿過金屬底板5,電路基板6由導線7a-7d所支撐。例如使用銀焊料8使作為地線的導線7a固定于金屬底板5的通孔8a內,且與金屬底板5電連接且機械連接。除作為電源端子或輸出端子等的地線7a外的導線7b-7d使用玻璃9絕緣連接金屬底板5的通孔9a中(所謂“氣密端子”)。并且,金屬蓋10通過電阻焊與金屬底板5的上表面接合,且使電路基板6密封地封裝于其中。
表面安裝晶體振子2是將AT切割晶體元件(crystal?element)(未圖示)收容于由層狀陶瓷構成的凹狀截面的表面安裝振子基座中,使振子用金屬蓋接合振子基座的開口端面而構成。在表面安裝振子2的外底面(圖10A中的表面安裝振子2的上方),設有電連接該晶體元件的安裝端子。
此外,振蕩電路3(圖10B中由3所示的點劃線所包圍的部分)由配置在振蕩部的電容器或振蕩放大器構成,例如,形成為以表面安裝振子2作為感應要素的科耳皮茲(Colpits)型電路。
如圖11所示,溫控電路4(圖10B中由4所示的點劃線所包圍的部分)包括:熱敏電阻11,該熱敏電阻檢測表面安裝振子2的工作溫度(溫度特性為負特性);線性電阻12,該線性電阻檢測恒溫型振蕩器1的周圍溫度(溫度特性為正特性);電阻13A-13C;運算放大器14;功率晶體管15;加熱表面安裝振子2的加熱電阻16。如圖10A所示,熱敏電阻11、功率晶體管15和加熱電阻16與表面安裝振子2一同設置在電路基板6的與金屬底板5相對向的一個主表面上,由導熱性樹脂17覆蓋而相互熱耦合。如圖10B所示,線性電阻12設置在遠離加熱電阻16的位置,易于檢測恒溫型振蕩器1的周圍溫度(使相對于周圍溫度的反應靈敏度增強)。
如圖11所示,線性電阻12和電阻13A和熱敏電阻11串聯配置,線性電阻12與地線連接,熱敏電阻11與電源電壓Vcc連接。并且,通過熱敏電阻11、電阻13A和線性電阻12對電源電壓Vcc進行分壓,將該電壓作為控制電壓。此外,電阻13B和電阻13C串聯配置,電阻13C與地線連接,電阻13B與電源電壓Vcc連接。并且,通過電阻13B和電阻13C對電源電壓Vcc進行分壓,將該電壓作為基準電壓。
如圖11所示,基準電壓和控制電壓輸入運算放大器14中,放大基準電壓和控制電壓的電位差而進行輸出。運算放大器14的輸出(電位差)施加在功率晶體管15基極上,通過基極的輸入電壓(基極電壓、電位差)控制集電極的輸出電流(集電極電流)。雖然加熱電阻16連接集電極,且加熱電阻16根據集電極電流放熱,表面安裝振子2被加熱。但是,通過功率晶體管15的放熱本身也被加熱。另外,圖11所示的溫控電路為專利文獻1(日本特開2005-165630號公報)公開的溫控電路的一實施例。
即使這樣現有技術實例的恒溫型振蕩器在恒溫型振蕩器1的周圍溫度發生變化時,也能得到穩定的振蕩頻率。其理由說明如下。
圖12表示收容AT切割晶體元件的表面安裝振子2的頻率溫度特性。該頻率溫度特性繪制三次曲線,其在常溫25℃以上的高溫側的溫度85℃附近具有頂點溫度的。另外,在圖12中,橫坐標表示表面安裝振子的工作溫度、縱坐標表示頻率偏差Δf/f,f為常溫25℃的振動頻率(共振頻率)、Δf為相對于常溫的振動頻率f的頻率差。如圖12所示,因為當晶體振子的工作溫度變化時,振動頻率發生變化,所以,晶體振蕩器的振蕩頻率也發生變化。
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