[發明專利]一種超低功耗低噪聲放大器結構及其制備方法無效
| 申請號： | 201010173289.9 | 申請日： | 2010-05-17 |
| 公開（公告）號： | CN101820251A | 公開（公告）日： | 2010-09-01 |
| 發明（設計）人： | 李東畔;劉軍華;李琛;廖懷林;黃如 | 申請（專利權）人： | 北京大學 |
| 主分類號： | H03F1/26 | 分類號： | H03F1/26 |
| 代理公司： | 北京萬象新悅知識產權代理事務所(普通合伙) 11360 | 代理人： | 蘇愛華 |
| 地址： | 100871*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 功耗 低噪聲放大器 結構 及其 制備 方法 | ||
1.一種超低功耗低噪聲放大器的電路結構，其特征在于：使用上下級聯的兩級共源放大結構，在兩級共源放大結構的連接點使用電容。
2.如權利要求1所述的電路結構，其特征在于：第一級共源放大結構由NMOS管M1和PMOS管M2構成，第二級共源放大結構由NMOS管M3和PMOS管M4構成，NMOS管M1的源端接芯片封裝地端，使用PMOS管M4負載。
3.如權利要求1或2所述的電路結構，其特征在于：電路結構的輸入端使用片外電感，片外電感的值為20nH～300nH。
4.如權利要求3所述的電路結構，其特征在于：用邦定線作為NMOS管M1的源簡并電感；邦定到片外電感的邦定線長度為1μm～10μm；邦定到地的邦定線長度為1μm～8μm。
5.如權利要求2所述的電路結構，其特征在于：兩級共源放大結構的兩個NMOS管M1、M3分別采用自偏置結構。
6.如權利要求1或2所述的電路結構，其特征在于：在兩級共源放大結構之間增加一個接地的電容作為交流虛地點。
7.如權利要求1所述的電路結構，其特征在于：連接兩級共源放大結構的電容的值為200fF～2pF。
8.一種制備如權利要求1所述電路的方法，包括以下步驟：
1)在PCB上焊接NMOS管M1、M3，PMOS管M2、M4，其中M1和M2組成第一級共源放大結構，M3和M4組成第二級共源放大結構；
2)在兩級共源放大結構之間放置交流耦合電容C2；
3)在整個版圖外緣放置一圈G-D-G-D-G保護環；
4)封裝邦線；
5)焊接片外電感。
9.如權利要求8所述的方法，其特征在于：在兩級共源放大結構之間放置一個接地的電容。
10.如權利要求8或9所述的方法，其特征在于：交流耦合電容的值為200fF～2pF。
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