[發明專利]硅基電容麥克風的制作方法

無效

• 申請號: 201010173256.4
• 申請日: 2010-05-10
• 公開（公告）號: CN101835085A
• 公開（公告）日: 2010-09-15
• 發明（設計）人: 葛舟;顏毅林;孟珍奎;楊斌;張睿
• 申請（專利權）人: 瑞聲聲學科技(深圳)有限公司;瑞聲微電子科技(常州)有限公司
• 主分類號: H04R31/00
• 分類號: H04R31/00;B81C1/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及一種硅基電容麥克風的制造方法。

背景技術

隨著無線通訊的發展，全球移動電話用戶越來越多，用戶對移動電話的要求已不僅滿足于通話，而且要能夠提供高質量的通話效果，尤其是目前移動多媒體技術的發展，移動電話的通話質量更顯重要，移動電話的麥克風作為移動電話的語音拾取裝置，其設計好壞直接影響通話質量。

而目前應用較多且性能較好的麥克風是微電機系統麥克風(Micro-Electro-Mechanical-System?Microphone，簡稱MEMS)，相關技術中，MEMS麥克風包括基底、背板和振膜。隨著硅基電容麥克風尺寸的減小，傳統的氫氧化鉀濕法刻蝕開背腔在尺寸上已經不能滿足麥克風設計，因此工藝上會使用深度反應離子刻蝕的方法來來刻蝕出背腔。而深度反應離子刻蝕的方法必然伴隨著一層高應力且厚度較厚的刻蝕阻擋層。在這個阻擋層上再生長結構層(振膜或背板)就會受到二氧化硅層的應力傳遞而導致很大的應力梯度，從而無法控制平坦度、可靠性，容易發生屈曲，難以釋放應力梯度。因此，有必要提供一種新型的硅基電容麥克風制作方法。

發明內容

本發明需解決的技術問題是提供一種可以提高硅基電容麥克風的靈敏度的硅基電容麥克風的制作方法。

根據上述需解決的技術問題，設計了一種硅基電容麥克風的制作方法，該方法包括如下步驟：

步驟A：提供一個硅基底，硅基底上設置氧化物絕緣層；

步驟B：氧化物絕緣層上設置應力平衡層；

步驟C：應力平衡層上設置多晶硅層，進行摻雜，形成摻雜后的摻雜層，作為電容的一個電極板；

步驟D：在摻雜層上沉積犧牲層，在犧牲層上利用光刻形成若干沉孔；

步驟E：沉積電容的另外一個電極板；

步驟F：沉積電極；

步驟G：利用蝕刻形成背腔；

步驟H：釋放犧牲層，得到兩電極板之間的間隙。

優選的，步驟C中，所述摻雜層為振膜作為電容的一個電極板，步驟E中，沉積背板層作為電容的另一個電極板。

優選的，步驟C中，所述摻雜層為背板層作為電容的一個電極板，步驟E中，沉積振膜作為電容的另一個電極板。

優選的，背板層具有突出部，背板層部分進入沉孔形成突起，并由此使得上部出現凹槽，再利用光刻形成入聲孔。

優選的，振膜具有突出部，振膜部分進入沉孔形成突起，并由此使得上部出現凹槽，再利用光刻形成入聲孔。

本發明的有益效果在于：由于應力平衡層具有和氧化物絕緣層相反的應力，所以可以用于平衡傳遞到摻雜層的應力，從而可以控制平坦度、可靠性；低壓化學氣相沉積氮化硅在氧化物刻蝕劑中腐蝕速率極慢，可以用于防止二氧化硅在最后釋放時帶來的底切而引起的振膜尺寸定義不準的缺點；麥克風在尺寸減小的同時，可以提高靈敏度、一致性。

附圖說明

圖1是用本發明提供的方法制成過程中的硅基電容麥克風。

具體實施方式

下面結合附圖和實施方式對本發明作進一步說明。

本發明提供的硅電容麥克風主要用于手機等電子設備中，用于接收聲音。振膜用于該硅電容麥克風中。

本發明提供的硅基電容麥克風的制作方法，該方法包括如下步驟：

步驟A：提供一個硅基底，硅基底上設置氧化物絕緣層.

步驟B：氧化物絕緣層上設置應力平衡層；

步驟C：應力平衡層上設置多晶硅層，進行摻雜，形成摻雜后的摻雜層，作為電容的一個電極板；

步驟D：在摻雜層上沉積犧牲層，在犧牲層上利用光刻形成若干沉孔；

步驟E：沉積電容的另外一個電極板；

步驟F：沉積電極；

步驟G：利用蝕刻形成背腔；

步驟H：釋放犧牲層，得到兩電極板之間的間隙。

步驟C中，所述摻雜層為振膜作為電容的一個電極板，步驟E中，沉積背板層作為電容的另一個電極板。

同樣，步驟C中，所述摻雜層為背板層作為電容的一個電極板，步驟E中，沉積振膜作為電容的另一個電極板。

也就是說，用該方法制作出來的硅基電容麥克風，背板和振膜的位置是可以互換的。

其中，背板層具有突出部，背板層部分進入沉孔形成突起，并由此使得上部出現凹槽，再利用光刻形成入聲孔。

當然，也可以振膜具有突出部，振膜部分進入沉孔形成突起，并由此使得上部出現凹槽，再利用光刻形成入聲孔。

可參見圖1，在圖1所示中，硅基底1上設有振膜2，背板3與振膜2相對設置，振膜3在背板3與基底1之間。