[發明專利]硅片對準光源幅度調制裝置有效
| 申請號: | 201010173160.8 | 申請日: | 2010-05-12 |
| 公開(公告)號: | CN102243442A | 公開(公告)日: | 2011-11-16 |
| 發明(設計)人: | 王海江;王詩華;戈亞萍;唐文力;李運鋒;程鵬;陳振飛;宋海軍;韋學志;胡明輝 | 申請(專利權)人: | 上海微電子裝備有限公司;上海微高精密機械工程有限公司 |
| 主分類號: | G03F7/20 | 分類號: | G03F7/20 |
| 代理公司: | 北京連和連知識產權代理有限公司 11278 | 代理人: | 王光輝 |
| 地址: | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 硅片 對準 光源 幅度 調制 裝置 | ||
1.一種用于硅片對準系統的光源幅度調制裝置,其特征在于:
光源模塊提供的入射光束依次經過光幅調制模塊、光學組件、偏振分束器后形成第一調制光束與第二調制光束,光電探測模塊探測所述第二調制光束的光信號,根據所述光信號的規律,判斷及輸出一調制參數,所述光幅調制模塊根據所述調制參數調制所述入射光束。
2.根據權利要求1所述的裝置,其特征在于,所述光幅調制模塊包括光彈晶體、壓電晶體、功率驅動器及調制控制器,所述調制控制器接收所述調制參數后控制功率驅動器產生驅動信號,所述驅動信號通過驅動壓電晶體發生形變使光彈晶體在周期性外力的作用下,對入射光進行調制。
3.根據權利要求1所述的裝置,其特征在于,所述光學組件包括四分之一濾波片、旋光片。
4.根據權利要求1所述的裝置,其特征在于,所述光電探測模塊包括光電探測器、信號調理單元、信號采集單元及控制單元。
5.根據權利要求1所述的裝置,其特征在于,所述光源模塊包括激光器及激光控制器。
6.根據權利要求1所述的裝置,其特征在于,所述第一調制光束是硅片對準系統的入射光。
7.一種用于硅片對準系統的光源幅度調制方法,其特征在于:
根據晶體的諧振頻率設置調制控制器的調制頻率參數,調整相位參數δ0的步驟如下:
(1)設置δ0為π/2-k*d,其中d為步長,k取正整數,大于10倍調制頻率的采樣頻率對兩個周期的信號進行采集,計算出一個調制周期內信號的極大值,并記錄極大值對應的時間;
(2)在[π/2-k*d,π/2+k*d]區間,按照步長d調整δ0,對于每一個δ0,以大于10倍調制頻率的采樣頻率對兩個周期信號進行采集,計算出一個調制周期內信號的極大值,并記錄極大值對應的時間;
(3)對極大值進行比較,對極大值對應的時間進行比較,找出在一個調制周期內,有一個極大值的一組δ0,在這組極大值中再進行一次篩選找出最大的極大值對應δ0,即為調制參數。
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