[發明專利]用于相變存儲器的富銻Si-Sb-Te硫族化合物相變材料無效
| 申請號： | 201010172922.2 | 申請日： | 2010-05-13 |
| 公開（公告）號： | CN101924180A | 公開（公告）日： | 2010-12-22 |
| 發明（設計）人： | 周夕淋;吳良才;宋志棠;饒峰 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海微系統與信息技術研究所 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00;C23C14/34;C23C14/06 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所 31219 | 代理人： | 李儀萍 |
| 地址： | 200050 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 相變 存儲器 si sb te 化合物 材料 | ||
【權利要求書】：
1.一種用于相變存儲器的富銻Si-Sb-Te硫族化合物相變材料，其特征在于：材料組分的通式為SiaSb(100-4a)Te3a，其中10≤a≤20。
2.如權利要求1所述的用于相變存儲器的富銻Si-Sb-Te硫族化合物相變材料，其特征在于：優選組分為Si10Sb60Te30、Si17.5Sb30Te52.5、及Si20Sb20Te60中的一種。
3.如權利要求1所述的用于相變存儲器的富銻Si-Sb-Te硫族化合物相變材料，其特征在于：所述材料采用濺射法、電子束蒸發法、氣相沉積法、及原子層沉積法中的一種方法形成。
4.如權利要求1所述的用于相變存儲器的富銻Si-Sb-Te硫族化合物相變材料，其特征在于：所述材料采用Si、Sb、及Te三個單質靶共濺射形成。
5.如權利要求1所述的用于相變存儲器的富銻Si-Sb-Te硫族化合物相變材料，其特征在于：所述材料采用Si-Sb合金靶和Te單質靶共濺射形成，或者采用Si-Te合金靶和Sb單質靶共濺射形成，或者采用Te-Sb合金靶和Si單質靶共濺射形成。
6.如權利要求1所述的用于相變存儲器的富銻Si-Sb-Te硫族化合物相變材料，其特征在于：所述材料直接采用Si-Sb-Te的合金靶濺射形成。
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