[發(fā)明專利]大功率LED用藍(lán)寶石基片超精密加工技術(shù)無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201010172868.1 | 申請(qǐng)日: | 2010-04-24 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN102233541A | 公開(kāi)(公告)日: | 2011-11-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 周海 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 周海 |
| 主分類號(hào): | B24B37/00 | 分類號(hào): | B24B37/00;H01L21/304 |
| 代理公司: | 暫無(wú)信息 | 代理人: | 暫無(wú)信息 |
| 地址: | 224051 江蘇省鹽城市*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 大功率 led 藍(lán)寶石 基片超 精密 加工 技術(shù) | ||
所屬技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及光電子領(lǐng)域的大功率發(fā)光二極管(LED)用藍(lán)寶石基片超精密加工技術(shù)。
背景技術(shù)
藍(lán)寶石(α-Al2O3)晶體已經(jīng)廣泛應(yīng)用于光電子、微電子、光學(xué)、激光、超導(dǎo)等領(lǐng)域。在整個(gè)大功率LED產(chǎn)業(yè)中,核心是GaN外延片的生長(zhǎng),因GaN體材料很難制備,必須在藍(lán)寶石襯底基片上外延生長(zhǎng)氮化鎵薄膜,藍(lán)寶石襯底基片的質(zhì)量直接影響其上GaN薄膜生長(zhǎng)質(zhì)量,如果藍(lán)寶石襯底基片的質(zhì)量稍差,會(huì)使制造出來(lái)的發(fā)光二極管發(fā)光性能低劣,甚至做不出發(fā)光二極管來(lái)。藍(lán)寶石襯底基片的質(zhì)量由藍(lán)寶石超精密加工技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)。
發(fā)明內(nèi)容
為了克服現(xiàn)有藍(lán)寶石加工質(zhì)量問(wèn)題,本發(fā)明提出一種新的藍(lán)寶石超精密加工技術(shù),該技術(shù)能夠簡(jiǎn)化藍(lán)寶石基片的工序、提高藍(lán)寶石基片的加工質(zhì)量。
本發(fā)明所采用的技術(shù)方案是:在藍(lán)寶石晶體切片后,采用淺損傷層的藍(lán)寶石基片塑性域磨削技術(shù)進(jìn)行基片磨削,用混合酸溶液對(duì)藍(lán)寶石基片進(jìn)行平整化處理,用納米級(jí)拋光液進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光,從而提高質(zhì)量,節(jié)省加工時(shí)間,降低加工成本。
藍(lán)寶石基片超精密加工技術(shù)流程如附圖1所示。
下面結(jié)合附圖1的加工技術(shù)流程對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步說(shuō)明如下:
1、通過(guò)X射線衍射儀進(jìn)行藍(lán)寶石晶體定向。
2、用線切割機(jī)對(duì)藍(lán)寶石晶體切片。
3、在藍(lán)寶石基片粘盤(pán)中,使用的粘接蠟的組成是:醫(yī)用切片石蠟、松香、醋酸乙烯型熱熔膠。
4、實(shí)現(xiàn)藍(lán)寶石基片塑性域磨削的條件是:高剛性超精密磨床、ELID(在線電解修整砂輪)精密磨削、粒度W7青銅結(jié)合劑金剛石砂輪、砂輪的線速度vs=1000m/min、進(jìn)給量f=1μm/r。將藍(lán)寶石襯底的厚度由450~500微米減薄至400微米左右、粗糙度為10.0微米左右。
5、藍(lán)寶石基片平整化的工藝參數(shù)是:將藍(lán)寶石基片放在平整化去應(yīng)力腐蝕液(該腐蝕液各組份硫酸、磷酸、硝酸的重量比是7∶2∶1),加熱到250℃±5℃,恒溫腐蝕15分鐘。
該方法不僅消除表層的加工應(yīng)力、消除機(jī)械加工損傷層,而且能獲得較好的表面平整度。
6、在藍(lán)寶石基片拋光工藝中,采用全局平面化超光滑無(wú)損傷精密化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù),藍(lán)寶石基片納米級(jí)拋光液的組成:溶膠型SiO2,聚氧乙烯酰胺,橄欖油,醇胺,去離子水。
在壓力為100Pa,溫度為25℃±2℃的條件下,利用精拋機(jī)和納米拋光液對(duì)藍(lán)寶石襯底進(jìn)行拋光,使藍(lán)寶石襯底的表面粗糙度達(dá)到0.2納米以下、無(wú)應(yīng)力、無(wú)翹曲變形。
工藝參數(shù)為:
拋光液中SiO2微粒直徑為:20nm
拋光盤(pán)轉(zhuǎn)速:70轉(zhuǎn)/分
載料盤(pán)轉(zhuǎn)數(shù):30轉(zhuǎn)/分
拋光時(shí)間t=120min
拋光壓力P=100Pa
拋光液的pH=10.5
拋光溫度:25℃±5℃
拋光液流量:15ml/min,拋光液不可以循環(huán)
發(fā)明效果
本發(fā)明的有益效果是:可以制備大功率LED用藍(lán)寶石基片,消除表層的加工應(yīng)力、消除機(jī)械加工損傷層,獲得表面晶格完整、平整度<5微米、拋光面粗糙度(RMS)<0.2納米的超光滑表面,該工藝縮短藍(lán)寶石基片的加工時(shí)間,降低生產(chǎn)成本。
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