[發(fā)明專利]一種保護(hù)集成電路參數(shù)化單元的知識產(chǎn)權(quán)的方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010172672.2 | 申請日： | 2010-05-12 |
| 公開（公告）號： | CN101866829A | 公開（公告）日： | 2010-10-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 張昊;許丹 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02;H01L21/768;H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 鄭瑋 |
| 地址： | 201203 上海*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 保護(hù) 集成電路 參數(shù) 單元 知識產(chǎn)權(quán) 方法 | ||
1.一種保護(hù)集成電路參數(shù)化單元的知識產(chǎn)權(quán)的方法，包括形成集成電路參數(shù)化單元的版圖，其特征在于，還包括在所述集成電路參數(shù)化單元的版圖中形成隱蔽的特殊圖形。
2.如權(quán)利要求1所述的保護(hù)集成電路參數(shù)化單元的知識產(chǎn)權(quán)的方法，其特征在于，所述隱蔽的特殊圖形位于所述集成電路參數(shù)化單元版圖的金屬互聯(lián)層。
3.如權(quán)利要求2所述的保護(hù)集成電路參數(shù)化單元的知識產(chǎn)權(quán)的方法，其特征在于，所述隱蔽的特殊圖形通過所述金屬互聯(lián)層中的通孔排列形成。
4.如權(quán)利要求2所述的保護(hù)集成電路參數(shù)化單元的知識產(chǎn)權(quán)的方法，其特征在于，所述隱蔽的特殊圖形通過在所述金屬互聯(lián)層中的金屬層中設(shè)置多個開孔，由所述多個開孔排列形成。
5.如權(quán)利要求1所述的保護(hù)集成電路參數(shù)化單元的知識產(chǎn)權(quán)的方法，其特征在于，所述隱蔽的特殊圖形通過放大裝置進(jìn)行觀察。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
