[發明專利]氧化層制造方法無效
| 申請號： | 201010172661.4 | 申請日： | 2010-05-12 |
| 公開（公告）號： | CN101866851A | 公開（公告）日： | 2010-10-20 |
| 發明（設計）人： | 郭國超 | 申請（專利權）人： | 上海宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/316 | 分類號： | H01L21/316;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 鄭瑋 |
| 地址： | 201203 上海*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氧化 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種氧化層制造方法，所述氧化層包括第一氧化層和第二氧化層，所述氧化層制造方法包括：
執行低壓化學氣相沉積工藝，以在晶片上形成第一氧化層；
執行現場水汽生成退火工藝，以在所述第一氧化層上形成第二氧化層。
2.如權利要求1所述的氧化層制造方法，其特征在于，所述晶片邊緣的第一氧化層的厚度大于晶片中心的第一氧化層厚度，所述晶片邊緣的第二氧化層的厚度小于晶片中心的第二氧化層厚度。
3.如權利要求1或2所述的氧化層制造方法，其特征在于，所述現場水汽生成退火工藝中反應壓力為6～8Torr。
4.如權利要求3所述的氧化層制造方法，其特征在于，所述現場水汽生成退火工藝的溫度為850～1050℃。
5.如權利要求4所述的氧化層制造方法，其特征在于，所述現場水汽生成退火工藝中氧氣的流量為8～12slm。
6.如權利要求5所述的氧化層制造方法，其特征在于，所述現場水汽生成退火工藝中氫氣的流量為0.25～1slm。
7.如權利要求6所述的氧化層制造方法，其特征在于，所述現場水汽生成退火工藝的反應時間為50～70秒。
8.如權利要求7所述的氧化層制造方法，其特征在于，所述現場水汽生成退火工藝中用氮氣或惰性氣體作為稀釋氣體。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
