[發明專利]用于存儲總線接口的PCM存儲器

有效

• 申請號: 201010172633.2
• 申請日: 2010-05-12
• 公開（公告）號: CN101887350A
• 公開（公告）日: 2010-11-17
• 發明（設計）人: E·孔法洛涅里;M·斯科尼亞米利奧;F·蒂齊亞尼
• 申請（專利權）人: E·孔法洛涅里;M·斯科尼亞米利奧;F·蒂齊亞尼
• 主分類號: G06F3/06
• 分類號: G06F3/06;G11C7/10
• 代理公司: 北京潤平知識產權代理有限公司 11283
• 代理人: 周建秋;王鳳桐

1.一種用于非易失性存儲器陣列的存儲控制器，該控制器包括：

耦合到外部總線以與外部設備傳送讀取和寫入指令的外部總線接口；

耦合到存儲器陣列以在所述存儲器陣列上執行讀取和寫入的存儲器陣列接口；以及

將期望值寫入所述存儲器陣列的期望地址的重寫模塊。

2.根據權利要求1所述的控制器，其中所述外部總線接口是閃存接口。

3.根據權利要求2所述的控制器，其中所述存儲器陣列接口是相變存儲器接口。

4.根據權利要求1所述的控制器，其中所述重寫模塊使用第一參數和第二參數，所述第一參數為將要被重寫的存儲單元的地址，所述第二參數為被用來重寫該單元的值。

5.根據權利要求4所述的控制器，其中所述重寫模塊在不考慮要被重寫的單元中的當前值的情況下進行操作。

6.根據權利要求1所述的控制器，該控制器還包括寫入范圍模塊以對地址范圍內的存儲器陣列的所有單元寫入單一指定值。

7.根據權利要求6所述的控制器，其中用于所述寫入范圍模塊的地址范圍被設置為非易失性存儲器范圍內可用地址范圍內的任意范圍。

8.根據權利要求6所述的控制器，其中所述寫入范圍模塊使用第一參數和第二參數，所述第一參數為要被寫入的單元的地址范圍，所述第二參數為所述單一指定值。

9.根據權利要求1所述的控制器，該控制器還包括耦合到所述存儲器陣列接口的非易失性存儲器陣列。

10.根據權利要求1所述的控制器，其中所述存儲器陣列、所述存儲器陣列接口以及所述重寫模塊形成在單一晶片上。

11.根據權利要求1所述的控制器，該控制器還包括耦合到閃存陣列的閃存陣列接口以在所述閃存陣列上執行讀取和寫入，該控制器還包括用于擦除所述閃存陣列的存儲塊的塊擦除模塊。

12.一種存儲設備，該存儲設備包括：

相變存儲器陣列；

耦合到所述相變存儲器陣列的相變存儲器陣列接口；

耦合到外部閃存總線的外部閃存總線接口；以及

耦合到所述相變存儲器陣列接口和所述外部閃存總線接口的存儲控制器，該存儲控制器用于響應于來自所述外部閃存總線接口的命令來通過所述相變存儲器陣列接口控制對所述相變存儲器陣列的讀取和寫入。

13.根據權利要求12所述的存儲設備，該存儲設備還包括：

閃存陣列；以及

耦合到所述存儲控制器的閃存陣列接口，

其中，所述存儲控制器還響應于來自所述外部閃存總線接口的命令來通過所述閃存陣列接口控制對所述閃存陣列的讀取和寫入。

14.根據權利要求13所述的存儲設備，其中所述存儲控制器還包括用于將期望值寫入所述相變存儲器陣列的期望地址的重寫模塊以及用于擦除所述閃存陣列的單元塊的塊擦除模塊。

15.根據權利要求14所述的存儲設備，其中所述存儲控制器還包括寫入范圍模塊，該寫入范圍模塊用于對地址范圍內的存儲器陣列的所有單元寫入單一指定值。

16.一種方法，該方法包括：

在存儲控制器處通過閃存總線控制器接口接收寫入命令，該寫入命令包括邏輯地址和位值；以及

通過相變存儲器陣列接口寫入相變存儲器陣列，該相變存儲器陣列接口將所述邏輯地址重映射到物理地址，并將所述位值寫入到所述物理地址處的相變存儲器單元。

17.根據權利要求16所述的方法，其中所述位值是“1”，以及寫入所述位值包括在不擦除的情況下寫入位值“1”。

18.根據權利要求16所述的方法，該方法還包括將接收到的用于應用的寫入命令轉換到所述相變存儲器陣列。