[發明專利]基于鐵電金屬異質結的憶阻器及其制備方法

無效

• 申請號: 201010172495.8
• 申請日: 2010-05-14
• 公開（公告）號: CN101864592A
• 公開（公告）日: 2010-10-20
• 發明（設計）人: 李海濤;夏奕東;徐波;國洪軒;殷江;劉治國
• 申請（專利權）人: 南京大學
• 主分類號: C30B23/02
• 分類號: C30B23/02;C30B29/30;C30B33/02;H01L45/00
• 代理公司: 南京天翼專利代理有限責任公司 32112
• 代理人: 陳建和

1.一種憶阻器材料鐵電鈮酸鋰，采用脈沖激光沉積系統制備：將單晶LN靶材(4)固定在脈沖激光沉積制膜系統的靶臺(5)上，襯底(1)固定在襯底臺(8)上，均放置在脈沖激光沉積制膜系統的生長室(6)中；生長室(6)中的真空抽到0.8×10^-4Pa以下，并通入氧氣，保持生長室內流動氧氣壓升到穩定在25～35Pa間，并將襯底溫度升到600～650℃間；啟動KrF準分子激光器(2)，使激光束通過聚焦透鏡(3)聚焦在單晶LN靶材(4)上；根據單脈沖能量，確定沉積時間，在襯底(1)上沉積厚度為30nm～200nm厚的LN薄膜；薄膜沉積結束后，原位500～650℃退火20～90min；該薄膜具有自發極化和180°疇界。

2.根據權利要求1所述的憶阻器材料鐵電鈮酸鋰在制備憶阻器元件中的應用：其特征是憶阻器元件的基本構型為三明治結構，憶阻器材料鐵電鈮酸鋰薄膜(12)夾在上下兩金屬電極膜(10、11)之間構筑成一個微型三明治結構，這就是一個憶阻器單元，鐵電鈮酸鋰薄膜在30nm至200nm之間；該三明治結構制備在硅片或二氧化硅薄層覆蓋的硅片上，金屬電極膜為鉑或金。

3.根據權利要求2所述的憶阻器材料鐵電鈮酸鋰薄膜50nm～100nm，上下電極厚度100nm～150nm。