[發明專利]外延生長前深溝槽中的氧化膜刻蝕和清洗工藝方法

無效

• 申請號: 201010172351.2
• 申請日: 2010-05-12
• 公開（公告）號: CN102243997A
• 公開（公告）日: 2011-11-16
• 發明（設計）人: 楊華;劉繼全;姚嫦媧
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311;H01L21/00
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 王函

1.一種外延生長前深溝槽中的氧化膜刻蝕和清洗工藝方法，其特征在于，包括如下步驟：

(1)深溝槽刻蝕；

(2)熱氧化在深溝槽內形成犧牲氧化膜；

(3)采用稀釋氫氟酸或氟化氫蒸汽去除深溝槽里的犧牲氧化膜；

(4)采用SPM、APM和HPM清洗，然后采用異丙醇干燥；

(5)外延生長。

2.如權利要求1所述的外延生長前深溝槽中的氧化膜刻蝕和清洗工藝方法，其特征在于，步驟(1)中，所述深溝槽刻蝕，使用干法刻蝕的方法，刻蝕深度＞10微米。

3.如權利要求1所述的外延生長前深溝槽中的氧化膜刻蝕和清洗工藝方法，其特征在于，步驟(2)中，所述熱氧化形成犧牲氧化膜用于修復深溝槽刻蝕造成的硅表面損傷，該犧牲氧化膜的厚度為100埃到1000埃。

4.如權利要求1所述的外延生長前深溝槽中的氧化膜刻蝕和清洗工藝方法，其特征在于，步驟(3)中，如采用稀釋氫氟酸來去除深溝槽里的犧牲氧化膜，該稀釋氫氟酸的氫氟酸和水的體積比范圍為1∶20到1∶1000，處理溫度為室溫。

5.如權利要求1所述的外延生長前深溝槽中的氧化膜刻蝕和清洗工藝方法，其特征在于，步驟(3)中，如采用氟化氫蒸汽來去除深溝槽里的犧牲氧化膜，該氟化氫蒸汽由49％氫氟酸加熱到沸點形成。

6.如權利要求1所述的外延生長前深溝槽中的氧化膜刻蝕和清洗工藝方法，其特征在于，步驟(4)中，所述SPM是硫酸雙氧水混合物，其中H₂SO₄∶H₂O₂的體積比為3∶1到30∶1，采用SPM清洗的溫度為100℃到160℃；所述APM是氨水雙氧水混合物，其中NH₄OH∶H₂O₂∶DI的體積比為1∶1∶5到1∶6∶60，采用APM清洗的溫度從25℃到75℃；所述HPM是鹽酸雙氧水混合物，其中HCL∶H₂O₂∶DI的體積比為1∶1∶5到1∶4∶20，采用HPM清洗的溫度從25℃到75℃。

7.如權利要求1或6所述的外延生長前深溝槽中的氧化膜刻蝕和清洗工藝方法，其特征在于，步驟(4)中，所述采用異丙醇干燥可采用低溫異丙醇干燥，干燥溫度為25℃-50℃，或者可采用減壓加熱的異丙醇干燥，干燥溫度為70℃-90℃。

8.如權利要求1或4所述的外延生長前深溝槽中的氧化膜刻蝕和清洗工藝方法，其特征在于，步驟(3)中，如果使用稀釋氫氟酸去除犧牲氧化膜，可以與步驟(4)合并成一個步驟完成，即去除犧牲氧化膜和外延前清洗在一個濕法化學清洗設備里完成，依次采用SPM、稀釋氫氟酸、APM和HPM清洗，然后采用異丙醇干燥。