[發(fā)明專利]一種在硅片上復(fù)合In2O3花狀納米結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體材料及其制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010171961.0
• 申請日: 2010-05-11
• 公開（公告）號(hào): CN101875565A
• 公開（公告）日: 2010-11-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃雁君;郁可;朱自強(qiáng)
• 申請（專利權(quán)）人: 華東師范大學(xué)
• 主分類號(hào): C04B41/50
• 分類號(hào): C04B41/50
• 代理公司: 上海藍(lán)迪專利事務(wù)所 31215
• 代理人: 徐筱梅;張翔

1.一種在硅片上復(fù)合In₂O₃花狀納米結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體材料，其特征在于：該材料包括硅片襯底及生長在該襯底表面的In₂O₃晶體；所述In₂O₃晶體為花狀納米結(jié)構(gòu)，其花瓣為帶刺棒狀納米結(jié)構(gòu)，棒的長度為40～80μm，刺的長度為0.8～4.6μm，刺狀納米結(jié)構(gòu)整齊地排列在棒狀納米結(jié)構(gòu)的表面上。

2.一種權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體材料的制備方法，其特征在于：該方法包括如下步驟：

a、將Sn粉、In₂O₃粉和C粉以1∶10∶30的摩爾比混合，作為源放到石英舟里，將清洗后的硅片蓋在石英舟上，硅片與源的垂直距離為4～10mm；

b、將石英舟置于預(yù)先加熱至700～1000℃、水平放置的管式生長爐的中部；

c、管式生長爐中通入惰性氣體Ar作為載氣，在大氣壓強(qiáng)下反應(yīng)120～240min；

d、取出石英舟和硅片，得到在硅片上復(fù)合In₂O₃花狀納米結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體材料；

其中：步驟a中所述Sn粉的純度為99.5％；所述In₂O₃粉的純度為分析純；所述C粉的純度為光譜純；步驟c中所述通入的惰性氣體Ar的流量為0.2～0.6L/min。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于所述水平放置的管式生長爐由兩根管組成，其中一根管長為70～100cm，直徑為6～10em；另一根管長為50～80cm，直徑為3～5cm；反應(yīng)時(shí)，小口徑管插入大口徑管中，載氣是直接通入到小口徑管中。