[發明專利]一種在硅片上復合In2O3花狀納米結構的半導體材料及其制備方法無效
| 申請號： | 201010171961.0 | 申請日： | 2010-05-11 |
| 公開（公告）號： | CN101875565A | 公開（公告）日： | 2010-11-03 |
| 發明（設計）人： | 黃雁君;郁可;朱自強 | 申請（專利權）人： | 華東師范大學 |
| 主分類號： | C04B41/50 | 分類號： | C04B41/50 |
| 代理公司： | 上海藍迪專利事務所 31215 | 代理人： | 徐筱梅;張翔 |
| 地址： | 200241 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 硅片 復合 in sub 納米 結構 半導體材料 及其 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種在硅片上復合In2O3花狀納米結構的半導體材料，其特征在于：該材料包括硅片襯底及生長在該襯底表面的In2O3晶體；所述In2O3晶體為花狀納米結構，其花瓣為帶刺棒狀納米結構，棒的長度為40～80μm，刺的長度為0.8～4.6μm，刺狀納米結構整齊地排列在棒狀納米結構的表面上。
2.一種權利要求1所述半導體材料的制備方法，其特征在于：該方法包括如下步驟：
a、將Sn粉、In2O3粉和C粉以1∶10∶30的摩爾比混合，作為源放到石英舟里，將清洗后的硅片蓋在石英舟上，硅片與源的垂直距離為4～10mm；
b、將石英舟置于預先加熱至700～1000℃、水平放置的管式生長爐的中部；
c、管式生長爐中通入惰性氣體Ar作為載氣，在大氣壓強下反應120～240min；
d、取出石英舟和硅片，得到在硅片上復合In2O3花狀納米結構的半導體材料；
其中：步驟a中所述Sn粉的純度為99.5％；所述In2O3粉的純度為分析純；所述C粉的純度為光譜純；步驟c中所述通入的惰性氣體Ar的流量為0.2～0.6L/min。
3.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于所述水平放置的管式生長爐由兩根管組成，其中一根管長為70～100cm，直徑為6～10em；另一根管長為50～80cm，直徑為3～5cm；反應時，小口徑管插入大口徑管中，載氣是直接通入到小口徑管中。
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