[發明專利]含有納米MoS2固體顆粒的復合鍍層的制備方法無效
| 申請號： | 201010171878.3 | 申請日： | 2010-05-14 |
| 公開（公告）號： | CN101831676A | 公開（公告）日： | 2010-09-15 |
| 發明（設計）人： | 紀秀林;李洪彬;顧磊;倪福生;郭衛;錢雪松;蔣爽 | 申請（專利權）人： | 河海大學常州校區 |
| 主分類號： | C25D3/56 | 分類號： | C25D3/56 |
| 代理公司： | 常州市天龍專利事務所有限公司 32105 | 代理人： | 夏海初 |
| 地址： | 213022 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 含有 納米 mos sub 固體 顆粒 復合 鍍層 制備 方法 | ||
1.一種含有納米MoS2固體顆粒的復合鍍層的制備方法，其特征在于，所述復合鍍層是在鎳磷電鍍液中添加平均粒徑＜40nm的MoS2固體顆粒所組成的復合鍍液，用所述復合鍍液通過電鍍沉積在金屬基體件表面所構成的。
2.根據權利要求1所述的含有納米MoS2固體顆粒的復合鍍層的制備方法，其特征在于：所述復合鍍液的組分及各組分的單位體積的重量含量是：
平均粒徑＜40nm的MoS2固體顆粒：15～25g/L
NiSO4：???????????????????????200～300g/L
NiCl4：???????????????????????25～35g/L
H3BO3：???????????????????????25～30g/L
H2PO3：???????????????????????15～25g/L
Na3C6H5O7：???????????????????35～45g/L
表面活性劑：??????????????????20～120mg/L。
3.根據權利要求1所述的含有納米MoS2固體顆粒的復合鍍層的制備方法，其特征在于，所述電鍍的電流密度在2.5～4.5A/dm2范圍內，電鍍的時間在1～2h范圍內，電鍍液工作溫度在55～65℃范圍內；所述鍍液的PH值在2～4.5范圍內。
4.根據權利要求1所述的含有納米MoS2固體顆粒的復合鍍層的制備方法，其特征在于，所述納米MoS2固體顆粒加入鎳磷電解液中之后，通過攪拌使納米MoS2固體顆粒均勻彌散分布于鎳磷電鍍液中；且在實施電鍍過程中，對所述復合鍍液不斷進行磁力攪拌，而使納米MoS2固體顆粒均勻懸浮在鎳磷電鍍液中。
5.根據權利要求1所述的含有納米MoS2固體顆粒的復合鍍層的制備方法，其特征在于，所述表面活性劑，是陽離子活性劑十六烷基三甲基溴化銨(CTAB)，和十二烷基甲基氯化銨的一種或者兩種，再添加OP乳化劑所組成的復合型表面活性劑。
6.根據權利要求3所述的含有納米MoS2固體顆粒的復合鍍層的制備方法，其特征，經1～2h的電鍍，所述復合鍍層厚度在50～100μm范圍內。
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