[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置及其制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201010171623.7 | 申請(qǐng)日： | 2010-04-28 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN101877366A | 公開（公告）日： | 2010-11-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 藤井照幸;大島浩平;丸山純矢;下村明久 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所 |
| 主分類號(hào)： | H01L31/04 | 分類號(hào)： | H01L31/04;H01L31/042;H01L31/0224;H01L31/20 |
| 代理公司： | 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體裝置，包括：
具有用作電極的表面的襯底；
所述襯底上的銅(Cu)鍍膜；
所述Cu鍍膜上的阻擋膜；
所述阻擋膜上的單晶硅膜；以及
所述單晶硅膜上的電極層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，還包括：
所述襯底上的晶種膜，
其中使所述晶種膜成長而形成所述Cu鍍膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述襯底是金屬襯底或設(shè)置有金屬膜的襯底。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述金屬襯底是Cu襯底，并且所述設(shè)置有金屬膜的襯底是設(shè)置有Cu膜的玻璃襯底。
5.一種包括根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的光電轉(zhuǎn)換裝置。
6.一種太陽能電池，包括：
具有用作電極的表面的襯底；
所述襯底上的銅(Cu)鍍膜；
所述Cu鍍膜上的阻擋膜；
所述阻擋膜上的光電轉(zhuǎn)換層；以及
所述光電轉(zhuǎn)換層上的電極層，
其中，所述光電轉(zhuǎn)換層由硅膜形成，
并且，所述電極層由透明導(dǎo)電材料形成。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的太陽能電池，還包括：
所述襯底上的晶種膜，
其中使所述晶種膜成長而形成所述Cu鍍膜。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的太陽能電池，其中所述襯底是金屬襯底或設(shè)置有金屬膜的襯底。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的太陽能電池，其中所述金屬襯底是Cu襯底，并且所述設(shè)置有金屬膜的襯底是設(shè)置有Cu膜的玻璃襯底。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的太陽能電池，其中所述透明導(dǎo)電材料由選自氧化銦錫合金、氧化鋅、氧化錫、氧化銦鋅合金中的任一種形成。
11.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括如下步驟：
將從氫氣體產(chǎn)生的離子摻雜到單晶硅襯底的表面，而在所述單晶硅襯底中形成脆弱層；
在所述單晶硅襯底上形成阻擋膜；
在所述阻擋膜上形成銅(Cu)鍍膜；
準(zhǔn)備金屬襯底；
通過將所述Cu鍍膜和所述金屬襯底熱壓合，來隔著所述Cu鍍膜將所述單晶硅襯底與所述金屬襯底接合；
利用熱處理沿著所述脆弱層剝離所述單晶硅襯底的一部分，而在所述金屬襯底上隔著所述Cu鍍膜形成單晶硅膜；以及
在所述單晶硅膜上形成電極層。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中所述熱壓合在150℃以上且300℃以下、0.5MPa以上且20MPa以下進(jìn)行。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，還包括如下步驟：
在所述阻擋膜上形成晶種膜；
其中，使該晶種膜成長而形成所述Cu鍍膜。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中所述金屬襯底是Cu襯底。
15.一種使用根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法的光電轉(zhuǎn)換裝置的制造方法。
16.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括如下步驟：
將從氫氣體產(chǎn)生的離子摻雜到單晶硅襯底的表面，而在所述單晶硅襯底中形成脆弱層；
在所述單晶硅襯底上形成阻擋膜；
在所述阻擋膜上形成銅(Cu)鍍膜；
準(zhǔn)備設(shè)置有金屬膜的襯底；
通過將所述Cu鍍膜和所述金屬膜熱壓合，來隔著所述Cu鍍膜和所述金屬膜將所述單晶硅襯底與所述設(shè)置有金屬膜的襯底接合；
利用熱處理沿著所述脆弱層剝離所述單晶硅襯底的一部分，而在所述設(shè)置有金屬膜的襯底上隔著所述Cu鍍膜和所述金屬膜形成單晶硅膜；以及
在所述單晶硅膜上形成電極層。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中所述熱壓合在150℃以上且300℃以下、0.5MPa以上且20MPa以下進(jìn)行。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，還包括如下步驟：
在所述阻擋膜上形成晶種膜；
其中，使該晶種膜成長而形成所述Cu鍍膜。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個(gè)或多個(gè)電光源，如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
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