[發明專利]垂直發射量子級聯激光器結構無效
| 申請號： | 201010171511.1 | 申請日： | 2010-05-07 |
| 公開（公告）號： | CN101847828A | 公開（公告）日： | 2010-09-29 |
| 發明（設計）人： | 郭萬紅;劉俊岐;陸全勇;張偉;江宇超;李路;王利軍;劉峰奇;王占國 | 申請（專利權）人： | 中國科學院半導體研究所 |
| 主分類號： | H01S5/183 | 分類號： | H01S5/183;H01S5/187;H01S5/343 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 湯保平 |
| 地址： | 100083 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 垂直 發射 量子 級聯 激光器 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種垂直發射量子級聯激光器結構，包括：
一襯底，在該襯底上依次生長有波導層、有源層和接觸層；
金屬光柵層，該金屬光柵層位于接觸層的上面，并且該金屬光柵層具有二級布拉格周期。
2.按權利要求1所述的垂直發射量子級聯激光器結構，其中所述的襯底為InP襯底。
3.按權利要求1所述的垂直發射量子級聯激光器結構，其中所述的波導層的材料為InGaAs，該波導層為n型摻雜，摻雜濃度為6×1016cm-3，層厚為0.55μm。
4.按權利要求1所述的垂直發射量子級聯激光器結構，其中所述的有源層由40個周期的InGaAs/InAlAs組成，該有源層對應的波長為8-12μm。
5.按權利要求1所述的垂直發射量子級聯激光器結構，其中所述的接觸層的材料為InGaAs，摻雜濃度為1×1019cm-3，層厚為0.05μm。
6.按權利要求1所述的垂直發射量子級聯激光器結構，其中所述的金屬光柵層的材料為銀，該金屬光柵層14的厚度為0.25μm，金屬的占空比為0.55。
7.按權利要求1所述的垂直發射量子級聯激光器結構，其中所述的金屬光柵層在接觸層的上面分為4段結構。
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