[發(fā)明專利]釔穩(wěn)定二氧化鋯的電熔制造方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010171433.5 | 申請日： | 2010-05-13 |
| 公開（公告）號： | CN102241510A | 公開（公告）日： | 2011-11-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 余鑫萌;徐寶奎;李起勝;李群 | 申請（專利權(quán)）人： | 鄭州振中電熔鋯業(yè)有限公司 |
| 主分類號： | C04B35/48 | 分類號： | C04B35/48;C04B35/653 |
| 代理公司： | 鄭州中原專利事務(wù)所有限公司 41109 | 代理人： | 霍彥偉 |
| 地址： | 452384 *** | 國省代碼： | 河南;41 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 穩(wěn)定 氧化鋯 制造 方法 | ||
1.釔穩(wěn)定二氧化鋯的電熔制造方法，其特征在于：它的操作步驟如下：
(1)將單斜型氧化鋯80～97重量份，釔的化合物3～9重量份，鈣的化合物0～3.4重量份、鎂的化合物0～3重量份，經(jīng)混料機混合均勻制成混合爐料；
(2)將步驟(1)中的混合爐料投入電弧爐中進行熔煉，熔煉的溫度為2700～3500℃，熔化成砣或熔化后澆鑄成塊；
(3)將步驟(2)中的熔體降溫，降低到室溫～100℃后，將熔體破碎。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的釔穩(wěn)定二氧化鋯的電熔制造方法，其特征在于：所述單斜型氧化鋯中氧化鋯的含量大于96％。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的釔穩(wěn)定二氧化鋯的電熔制造方法，其特征在于：所述單斜型氧化鋯來源于電熔脫硅鋯、化學鋯或天然斜鋯石中的任意一種或至少兩種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的釔穩(wěn)定二氧化鋯的電熔制造方法，其特征在于：所述所述釔的化合物為氧化釔、草酸釔、碳酸釔中的任意一種或至少兩種，所述鈣的化合物為氧化鈣、氫氧化鈣、碳酸鈣中的任意一種或至少兩種；鎂的化合物為氧化鎂、氫氧化鎂、碳酸鎂中的任意一種或至少兩種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的釔穩(wěn)定二氧化鋯的電熔制造方法，其特征在于：所述步驟(3)中熔體采用水冷或風冷降溫，降溫速率為50～100℃/小時。
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