[發明專利]線柵偏振器無效
| 申請號： | 201010171312.0 | 申請日： | 2010-04-28 |
| 公開（公告）號： | CN101876722A | 公開（公告）日： | 2010-11-03 |
| 發明（設計）人： | 薩斯瓦提·芭奈慈;藤井貴志 | 申請（專利權）人： | 住友化學株式會社 |
| 主分類號： | G02B5/30 | 分類號： | G02B5/30 |
| 代理公司： | 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219 | 代理人： | 關兆輝;穆德駿 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 偏振 | ||
1.一種線柵偏振器，在基板上以比光的波長短的間隔平行地配置有作為光柵線的多個金屬線，其特征在于，
在光柵線的表面上層疊有由包括金屬氮化物、金屬砷化物、金屬磷化合物以及金屬與銻的化合物的組中所選擇的1種以上的半導體化合物構成的層。
2.如權利要求1所述的線柵偏振器，其特征在于，
半導體化合物的折射率的虛部為0.001以上且3.0以下。
3.如權利要求1或2所述的線柵偏振器，其特征在于，
半導體化合物為從包括AlAs、GaAs、InGaAs、GaP、InP、GaN、InN、InGaN、AlN、AlGaN、GaSb及InGaSb的組中所選擇的1種以上的半導體化合物。
4.一種線柵偏振器，其特征在于，
包括：透明基板；
形成于所述透明基板上的條紋狀的多個金屬線；和
形成于所述金屬線上的光吸收層，
所述光吸收層由半導體化合物構成，
設所述半導體化合物的折射率nm的實部為nr，虛部為nj，i為虛數單位，折射率nm＝nr+i×nj，所述光吸收層的厚度為dt時，在300nm以上且850nm以下的波長范圍內，構成所述光吸收層的所述半導體化合物滿足以下所有關系式：
10nm≤dt≤80nm；
1.8≤nr≤5.7；
0.001≤nj≤3.0。
5.如權利要求4所述的線柵偏振器，其特征在于，
設所述金屬線的排列周期為PL時，0＜PL＜400nm。
6.如權利要求4或5所述的線柵偏振器，其特征在于，
設1個所述金屬線的寬度為MW，所述金屬線的面內的填充率FF＝MW/PL時，還滿足以下關系式：
0＜FF≤50％。
7.一種線柵偏振器，其特征在于，
包括：透明基板；
形成于所述透明基板上的條紋狀的多個金屬線；和
形成于所述金屬線上的光吸收層，
所述光吸收層由半導體化合物構成，
設所述半導體化合物的折射率nm的實部為nr，虛部為nj，i為虛數單位，折射率nm＝nr+i×nj，所述光吸收層的厚度為dt時，在380nm以上且780nm以下的波長范圍內，構成所述光吸收層的所述半導體化合物滿足以下所有關系式：
20nm≤dt≤80nm；
2.5≤nr≤5.7；
0.001≤nj≤3.0。
8.如權利要求7所述的線柵偏振器，其特征在于，
設所述金屬線的排列周期為PL時，0＜PL＜400nm。
9.如權利要求7或8所述的線柵偏振器，其特征在于，
設1個所述金屬線的寬度為MW，所述金屬線的面內的填充率FF＝MW/PL時，還滿足以下關系式：
0＜FF≤50％。
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