[發明專利]高壓傳感器裝置及其方法有效
| 申請號: | 201010171037.2 | 申請日: | 2005-12-26 |
| 公開(公告)號: | CN101853798A | 公開(公告)日: | 2010-10-06 |
| 發明(設計)人: | 杰斐遜·W.·霍爾;穆罕默德·T.·庫杜斯 | 申請(專利權)人: | 半導體元件工業有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;H01L21/77;H01L23/544;H01L27/04;G01R19/00 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人: | 康建忠 |
| 地址: | 美國亞*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 高壓 傳感器 裝置 及其 方法 | ||
1.一種檢測高電壓的方法,包括:
提供半導體襯底;
形成位于所述半導體襯底之上的檢測元件,以及配置所述檢測元件接收具有近似大于5伏的值的高電壓并且作為響應形成檢測信號,所述檢測信號的值表示所述高電壓的值并且以連續的方式在高電壓的操作范圍上變化,其中所述檢測信號是具有表示高電壓的值的電壓或者具有表示高電壓的值的電流中的一個。
2.如權利要求1所述的方法,還包括配置電路使用所述檢測信號來進行以下各項中的一個:檢測線路欠壓情況、檢測線路過壓情況、確定輸入功率、限制輸入功率、功率限制、控制待機操作、或用于電流模式斜坡補償的線路前饋功能。
3.如權利要求1所述的方法,其中形成所述檢測元件包括配置電路使用所述檢測信號來進行以下各項中的一個:調節輸出電壓或檢測能量存儲元件的能量轉移狀態。
4.一種檢測電源控制器的高電壓的方法,包括:
提供半導體襯底;
形成位于所述半導體襯底之上的檢測元件,以及配置所述檢測元件接收具有近似大于5伏的值的高電壓并且作為響應形成檢測信號,所述檢測信號的值表示所述高電壓的值并且以連續的方式在高電壓的操作范圍上變化;
在半導體襯底上形成第一電路;以及
配置所述第一電路使用所述檢測信號來進行以下各項中的一個:檢測線路欠壓情況、檢測線路過壓情況、確定輸入功率、限制輸入功率、功率限制、控制待機操作、用于電流模式斜坡補償的線路前饋功能、調節輸出電壓或檢測能量存儲元件的能量轉移狀態。
5.如權利要求4所述的方法,其中形成檢測元件包括:形成檢測元件以接收具有高于四十伏的值的高電壓。
6.一種形成高電壓檢測元件的方法,包括:
在半導體襯底上形成半導體器件,其中所述半導體器件具有至少一個高電壓輸入端;
形成位于所述半導體襯底的至少一部分之上的檢測元件,以及
配置所述檢測元件從高電壓輸入端接收高電壓并且作為響應形成檢測信號,所述檢測信號的值表示所述高電壓的值,其中所述高電壓的值近似大于四十伏;以及
可操作地耦合第一電路以使用所述檢測信號來進行以下各項中的一個:檢測線路欠壓情況、檢測線路過壓情況、確定輸入功率、限制輸入功率、功率限制、控制待機操作、用于電流模式斜坡補償的線路前饋功能、調節輸出電壓或檢測能量存儲元件的能量轉移狀態。
7.如權利要求6所述的方法,還包括可操作地耦合第二電路以使用所述檢測信號來進行以下各項中不通過所述第一電路進行的不同的一項:檢測線路欠壓情況、檢測線路過壓情況、確定輸入功率、限制輸入功率、功率限制、控制待機操作、用于電流模式斜坡補償的線路前饋功能、調節輸出電壓或檢測能量存儲元件的能量轉移狀態。
8.如權利要求6所述的方法,其中在半導體襯底上形成所述半導體器件包括:在所述半導體襯底上形成摻雜區域,形成位于所述摻雜區域的至少一部分之上的檢測元件,其中所述檢測元件的第一端不耦合到所述摻雜區域。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





