[發(fā)明專利]集成電路及其設(shè)計方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010170977.X | 申請日: | 2010-04-30 |
| 公開(公告)號: | CN102117804A | 公開(公告)日: | 2011-07-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 余紹銘;張長昀 | 申請(專利權(quán))人: | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02;G06F17/50 |
| 代理公司: | 北京市德恒律師事務(wù)所 11306 | 代理人: | 陸鑫;高雪琴 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 集成電路 及其 設(shè)計 方法 | ||
1.一種集成電路,包括:
至少一核心元件區(qū)與至少一密集組件單元;以及
多個半導(dǎo)體鰭片包括:
一核心半導(dǎo)體鰭片,位于所述至少一核心元件區(qū)中,其排列根據(jù)一設(shè)計規(guī)則使該核心半導(dǎo)體鰭片具有最低聚集密度;以及
其他半導(dǎo)體鰭片,位于所述至少一密集組件單元中,且其排列不根據(jù)該設(shè)計規(guī)則。
2.如權(quán)利要求1所述的集成電路,其中該設(shè)計規(guī)則中,至少一核心半導(dǎo)體鰭片與另一核心半導(dǎo)體鰭片相鄰。
3.如權(quán)利要求2所述的集成電路,其中該設(shè)計規(guī)則中,所述多個核心半導(dǎo)體鰭片平行排列,且兩者的腳距小于或等于65微米。
4.如權(quán)利要求2所述的集成電路,其中該設(shè)計規(guī)則中,所述多個核心半導(dǎo)體鰭片平行排列,且兩者間距小于或等于所述多個核心半導(dǎo)體鰭片的平均寬度的五倍。
5.如權(quán)利要求2所述的集成電路,其中該核心元件區(qū)包括邏輯元件,且該密集組件單元包括靜態(tài)隨機存取存儲器單元。
6.如權(quán)利要求1所述的集成電路,其中該密集組件單元包括靜態(tài)隨機存取存儲器單元。
7.如權(quán)利要求1所述的集成電路,其中該其他半導(dǎo)體鰭片包括分散的半導(dǎo)體鰭片。
8.如權(quán)利要求1所述的集成電路,其中所述多個半導(dǎo)體鰭片的高寬比介于2∶1至6∶1之間。
9.如權(quán)利要求1所述的集成電路,還包括至少一晶體管形成于部分所述多個半導(dǎo)體鰭片上。
10.一種集成電路的設(shè)計方法,包括:
將一半導(dǎo)體集成電路芯片分為不同的功能區(qū)塊,所述多個功能區(qū)塊包括一核心區(qū)域及至少一單元區(qū)域;
設(shè)計該核心區(qū)域及該單元區(qū)域的半導(dǎo)體鰭片;以及
于核心區(qū)域?qū)嵤┮辉O(shè)計規(guī)則,使半導(dǎo)體鰭片聚集成組,且每個半導(dǎo)體鰭片組中至少包含三個相鄰的半導(dǎo)體鰭片;以及
于該單元區(qū)域不實施該設(shè)計規(guī)則;
其中該單元區(qū)域的元件平均密度高于該核心區(qū)域的元件平均密度。
11.如權(quán)利要求10所述的集成電路的設(shè)計方法,還包括設(shè)計該核心區(qū)域以及該單元區(qū)域。
12.如權(quán)利要求10所述的集成電路的設(shè)計方法,其中該設(shè)計規(guī)則中,所述多個核心區(qū)域的半導(dǎo)體鰭片平行排列,且兩者的腳距小于或等于65微米。
13.如權(quán)利要求10所述的集成電路的設(shè)計方法,其中該設(shè)計規(guī)則中,所述多個核心區(qū)域的半導(dǎo)體鰭片平行排列,且兩者間距小于或等于所述多個核心區(qū)域的半導(dǎo)體鰭片的平均寬度的五倍;以及
該單元區(qū)域的半導(dǎo)體鰭片彼此分開。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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