[發明專利]高亮度氮化鎵基發光二極管及其制備方法

有效

• 申請號: 201010170914.4
• 申請日: 2010-05-04
• 公開（公告）號: CN101859859A
• 公開（公告）日: 2010-10-13
• 發明（設計）人: 林素慧;彭康偉;劉傳桂;林科闖;鄭建森
• 申請（專利權）人: 廈門市三安光電科技有限公司
• 主分類號: H01L33/44
• 分類號: H01L33/44;H01L33/46
• 代理公司: 廈門原創專利事務所 35101
• 代理人: 徐東峰

1.高亮度氮化鎵基發光二極管，其特征在于：在襯底上外延一由N型GaN層、發光層、P型GaN層構成的外延層；第一分布布拉格反射層，形成于外延層第一區域上；第二分布布拉格反射層，形成于外延層第二區域上；導電層形成于第一分布布拉格反射層上且覆蓋于外延層第一區域；P電極形成于導電層上；N電極形成于第二分布布拉格反射層上且覆蓋至N型GaN層上；其中第一分布布拉格反射層位于P電極正下方，且第一分布布拉格反射層圖案面積大于或者等于P電極的圖案面積。

2.高亮度氮化鎵基發光二極管的制備方法，其步驟是：

1)先在襯底上依次生長由N型GaN層、發光層和P型GaN層構成的外延層；

2)在上述P型GaN層上鍍有分布布拉格反射層；

3)用光刻膠在分布布拉格反射層上制備掩模圖形；

4)采用蝕刻工藝，將光刻膠掩模的圖形轉移到分布布拉格反射層上；

5)清洗襯底，去除殘留的光刻膠，將分布布拉格反射層劃分為第一分布布拉格反射層和第二分布布拉格反射層，第一分布布拉格反射層所在的區域稱為外延層第一區域，第二分布布拉格反射層所在的區域稱為外延層第二區域；

6)在第一分布布拉格反射層上制作導電層并覆蓋于外延層第一區域；

7)對外延層第二區域內的第二分布布拉格反射層周圍進行非等向性刻蝕至N型GaN層；

8)在導電層上制作P電極；

9)在外延層第二區域內的第二分布布拉格反射層上制作N電極并覆蓋至N型GaN層；

10)清洗并分割，即得高亮度氮化鎵基發光二極管。

3.如權利要求2所述的高亮度氮化鎵基發光二極管的制備方法，其特征在于：襯底材料為藍寶石或碳化硅。

4.如權利要求2所述的高亮度氮化鎵基發光二極管的制備方法，其特征在于：分布布拉格反射層由交替的高折射率和低折射率材料層組成。

5.如權利要求2所述的高亮度氮化鎵基發光二極管的制備方法，其特征在于：分布布拉格反射層的高折射率層材料選自TiO、TiO₂、Ti₃O₅、Ti₂O₃、Ta₂O₅、ZrO₂或前述的任意組合之一。

6.如權利要求2所述的高亮度氮化鎵基發光二極管的制備方法，其特征在于：分布布拉格反射層的低折射率層材料選自SiO₂、Al₂O₃或前述的組合之一。

7.如權利要求4、5或6所述的高亮度氮化鎵基發光二極管的制備方法，其特征在于：分布布拉格反射層的層數是兩層或兩層以上。

8.如權利要求4、5或6所述的高亮度氮化鎵基發光二極管的制備方法，其特征在于：分布布拉格反射層的圖案形狀為矩形、圓形或多邊形。

9.如權利要求2所述的高亮度氮化鎵基發光二極管的制備方法，其特征在于：導電層材料選自Ni/Au、Ni/ITO、ITO或前述的任意組合之一。