[發(fā)明專利]一種鐵電-反鐵電相變熱釋電陶瓷材料、陶瓷元件及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201010170613.1 | 申請(qǐng)日: | 2010-05-11 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102241511A | 公開(公告)日: | 2011-11-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 董顯林;張紅玲;陳學(xué)鋒;曹菲;王根水 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)科學(xué)院上海硅酸鹽研究所 |
| 主分類號(hào): | C04B35/493 | 分類號(hào): | C04B35/493;C04B35/457;C04B35/622 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務(wù)所 31219 | 代理人: | 許亦琳;余明偉 |
| 地址: | 200050 *** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 反鐵電 相變 熱釋電 陶瓷材料 陶瓷 元件 及其 制備 方法 | ||
1.一種鐵電-反鐵電相變熱釋電陶瓷材料,其化學(xué)成分符合化學(xué)通式
(Pb1-3x/2Lax)(ZryTizSn1-y-z)O3,其中0<x≤0.025,y=0.38~0.46,z=0.14~0.18。
2.如權(quán)利要求1所述的鐵電-反鐵電相變熱釋電陶瓷材料,其特征在于:所述的相變熱釋電陶瓷材料在室溫下為鐵電相,在有無外加電場(chǎng)的情況下,所述相變熱釋電陶瓷材料隨溫度變化均會(huì)發(fā)生可逆的鐵電-反鐵電相變。
3.如權(quán)利要求1或2所述的鐵電-反鐵電相變熱釋電陶瓷材料的制備方法,包括如下步驟:
(a)以Pb3O4、ZrO2、TiO2、SnO2和La2O3的粉體為原料,按照(Pb1-3x/2Lax)(ZryTizSn1-y-z)O3的對(duì)應(yīng)元素的化學(xué)計(jì)量比配制,用濕式球磨法混合;烘干后壓塊,燒結(jié)后得到陶瓷粉體。
(b)將步驟(a)所得的陶瓷粉體用濕式球磨法細(xì)磨,烘干后加入粘結(jié)劑造粒,陳化后壓制成型,然后升溫排塑,得到陶瓷坯體。
(c)將步驟(b)所得的陶瓷坯體放入高溫爐中,用步驟(a)所述的陶瓷粉體覆蓋陶瓷坯體,燒結(jié)后得到所述的陶瓷材料。
4.如權(quán)利要求1-3任一所述的一種熱釋電陶瓷材料應(yīng)用于非制冷紅外熱釋電探測(cè)技術(shù)或熱-電能量轉(zhuǎn)換領(lǐng)域。
5.一種熱釋電陶瓷元件,為根據(jù)權(quán)利要求1-3任一所述的鐵電-反鐵電相變熱釋電陶瓷材料制成。
6.如權(quán)利要求5所述的熱釋電陶瓷元件,其特征在于:所述的熱釋電陶瓷元件經(jīng)極化處理后,在鐵電-反鐵電相變溫度附近,熱釋電系數(shù)為140×10-8-460×10-8C·cm-2·K-1。
7.如權(quán)利要求5所述的熱釋電陶瓷元件,其特征在于:所述的熱釋電陶瓷元件在直流偏壓作用下,在鐵電-反鐵電相變溫度附近,熱釋電系數(shù)為40×10-8-230×10-8C·cm-2·K-1。
8.如權(quán)利要求6或7所述的熱釋電陶瓷元件,其特征在于:所述的鐵電-反鐵電相變溫度為80-145℃。
9.如權(quán)利要求5所述的熱釋電陶瓷元件,其特征在于:所述的熱釋電陶瓷元件在直流偏壓作用下,升降溫時(shí)的熱滯≤3.5℃。
10.如權(quán)利要求5-9任一所述的熱釋電陶瓷元件的制備方法,包括如下步驟:
將權(quán)利要求1-3任一所述的陶瓷材料加工成所需尺寸,絲網(wǎng)印銀,烘干,燒銀后得到所述的熱釋電陶瓷元件。
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