[發(fā)明專利]粘接帶的擴(kuò)展方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010170598.0
• 申請日: 2010-04-29
• 公開（公告）號: CN101887841A
• 公開（公告）日: 2010-11-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 中村勝
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社迪思科
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/78;H01L21/68
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 陳堅(jiān)

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及使粘貼有晶片的粘接帶向環(huán)狀框架的半徑方向擴(kuò)展的粘接帶的擴(kuò)展方法。

背景技術(shù)

關(guān)于IC(Integrated?Circuit：集成電路)、LSI(Large-scale?Integration大規(guī)模集成電路)等多個(gè)器件被形成為格子狀的分割預(yù)定線所劃分而形成的晶片，通過切割裝置或激光加工裝置將所述晶片分割成一個(gè)個(gè)器件，分割后的器件被廣泛應(yīng)用于移動(dòng)電話、個(gè)人計(jì)算機(jī)等各種電子設(shè)備。

切割裝置是利用具有非常薄的切削刃的切削刀具沿分割預(yù)定線切削晶片從而將其分割成一個(gè)個(gè)器件的裝置，該切割裝置能夠?qū)⒕煽康胤指畛梢粋€(gè)個(gè)器件。

此外，激光加工裝置照射相對于晶片具有透射性的波長的激光束，從而沿著分割預(yù)定線在晶片的內(nèi)部形成變質(zhì)層，然后通過使支承有晶片的粘接帶擴(kuò)展來對晶片施加外力，使晶片沿著變質(zhì)層斷裂從而分割成一個(gè)個(gè)器件(例如，參照日本特開2004-349623號公報(bào))。

另一方面，近年來，移動(dòng)電話和個(gè)人計(jì)算機(jī)等電氣設(shè)備追求更加輕量化和小型化，需要更薄的器件。作為將晶片分割成更薄的器件的技術(shù)，開發(fā)出了所謂預(yù)切割法的分割技術(shù)，并且該技術(shù)正被實(shí)用化(例如，參照日本特開平11-40520號公報(bào))。

該預(yù)切割法是這樣的技術(shù)：從半導(dǎo)體晶片的表面沿分割預(yù)定線形成預(yù)定深度(與器件的完成厚度相當(dāng)?shù)纳疃?的分割槽，然后對在表面形成有分割槽的半導(dǎo)體晶片的背面進(jìn)行磨削，使分割槽露出于該背面，從而將該半導(dǎo)體晶片分割成一個(gè)個(gè)器件，該預(yù)切割法能夠?qū)⑵骷暮穸燃庸ぶ?00μm以下。

專利文獻(xiàn)1：日本特開2004-349623號公報(bào)

專利文獻(xiàn)2：日本特開平11-40520號公報(bào)

但是，當(dāng)使用激光加工裝置在晶片的內(nèi)部沿分割預(yù)定線形成變質(zhì)層，并擴(kuò)展粘接帶從而將晶片沿變質(zhì)層分割成一個(gè)個(gè)器件時(shí)，存在這樣的問題：擴(kuò)展后的粘接帶產(chǎn)生松弛，從而在搬送晶片時(shí)器件相互接觸而損傷。此外，在粘接帶的中央部下垂的狀態(tài)下，存在無法將經(jīng)粘接帶支承于環(huán)狀框架的晶片收納到盒中的問題。

在將被稱為DAF(Die?Attach?Film：芯片貼膜)的芯片接合用膜粘貼于通過預(yù)切割法而分割成了一個(gè)個(gè)器件的晶片的背面、進(jìn)而將DAF粘貼于粘接帶、并通過粘接帶的擴(kuò)展來與一個(gè)個(gè)器件對應(yīng)地分割DAF的情況下，也會(huì)產(chǎn)生上述問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明是鑒于這樣的問題而完成的，其目的在于提供一種能夠擴(kuò)展粘貼有晶片的粘接帶從而使晶片沿變質(zhì)層斷裂的粘接帶的擴(kuò)展方法。

本發(fā)明的另一目的在于提供一種能夠通過擴(kuò)展粘接帶來與一個(gè)個(gè)器件對應(yīng)地分割芯片貼膜的粘接帶的擴(kuò)展方法，其中所述芯片貼膜粘貼在通過預(yù)切割法而分割成了一個(gè)個(gè)器件的晶片的背面。