[發明專利]一種碳化硅滅磁電阻及其制備方法

有效

• 申請號: 201010170421.0
• 申請日: 2010-05-13
• 公開（公告）號: CN102244376A
• 公開（公告）日: 2011-11-16
• 發明（設計）人: 潘銀大
• 申請（專利權）人: 宜興市丁山電瓷避雷器材廠
• 主分類號: H02H7/06
• 分類號: H02H7/06;C04B35/565;C04B35/622
• 代理公司: 宜興市天宇知識產權事務所(普通合伙) 32208
• 代理人: 蔡鳳苞

1.一種碳化硅滅磁電阻，其特征在于：所述碳化硅滅磁電阻的原料組份重量百分配比為：

碳化硅：

粒徑≤180目：32～36％

粒徑≥120目：24～27％

粒徑≥60目：?24～27％

結合劑：?????12～19％

導電碳黑?????0.5～2.5％

其中，所述結合劑由水玻璃和磷酸二氫鋁配比混合而成，兩者的重量配比范圍為1∶0.2～0.5。

2.根據權利要求1所述的滅磁電阻，其特征在于：所述滅磁電阻原料組份重量百分配比為：

碳化硅：

粒徑≤180目：34％

粒徑≥120目：25％

粒徑≥60目：?26％

結合劑：?????14％

導電碳黑?????1.0％

其中，所述結合劑組分的重量百分比：

水玻璃：?????80％

磷酸二氫鋁???20％

3.一種碳化硅滅磁電阻制備方法，其特征在于：所述步驟包括：

步驟A、按權利要求1或2的配方備料；

步驟B、將配制好的所述原料進行攪拌，攪拌時間為2～3小時，攪拌同時，進行若干次的噴水；

步驟C、將攪拌后的所述原料密封儲存20～24小時后進行壓制，然后陰干48-60小時；

步驟D、在氧化氣氛環境下進行燒結，并控制燒結溫度和燒結時間；

步驟E、燒結后的產品出爐冷卻后，對其表面進行金屬材料噴涂和老化處理。

4.根據權利要求3所述的制備方法，其特征在于：所述步驟C的噴水周期為每間隔5～10分鐘噴水一次，每次噴水量為200～300克。

5.根據權利要求3所述的制備方法，其特征在于：所述步驟D的燒結溫度和燒結時間控制范圍為：從常溫～200℃時，控制燒結時間在2～2.5小時之內；200℃～500℃時控制燒結時間在3～3.5小時內，500℃～900℃控制燒結時間在5小時之內。

6.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于：燒結后所述產品保溫2～3小時，并控制36小時后出爐。

7.根據權利要求3所述的制備方法，其特征在于：所述步驟E中噴涂的金屬材料為鋁或銅。